电气特性中列出的大多数规格都使用自动测试设备 (ATE) 进行测试。因此,可在辐照前和辐照后条件下轻松测试这些规格。此外,这些规格通常是 RLAT(辐射批次验收测试)流的一部分。但是,某些规格很难在 ATE 上进行测量(例如,由于具有高增益或对寄生效应敏感),因此仅在基准特性描述期间进行测量。通常,这些规格不是在辐照后测量。
PSRR、噪声和稳定性是使用 ATE 时未涵盖的关键规格,因此不属于传统 RLAT 流。为了提供这些关键规格的额外信息,对三个 EVM 执行了一次性特性描述。在 100krad(Si) 的高剂量率 (HDR) 下偏置和暴露这三个 EVM。
所有 PSRR、噪声和稳定性测量在辐照条件下结果良好。概括如下:
- 在 100Hz 至 1kHz 范围内,在承受 TID 后测得的 PSRR 略有降低。器件 1 显示在承受 TID 后大约降低 10dB;但由于难以测量如此高的增益,因此认为是由与设置相关的问题所致。在任何情况下,PSRR 在此范围内仍然极高 (> 95dB)。
- 在 100Hz 以下和 1kHz 以上,在承受 TID 后测得的 PSRR 略有降低。
- 在 10Hz 至 10kHz 范围内,测得的噪声逐渐升高。
- 在 10Hz 以下和 100kHz 以上,噪声的测量结果大致相同。
- 承受 TID 之后,计算出的 RMS 噪声平均高出 120nVRMS。
- 平均相位裕度幅度漂移约为 7°。对于所有之前和之后的测量,相位裕度都保持高位。
- 平均增益裕度幅度漂移约为 2dB。这种变化被认为很小,并且可能在测量误差范围内。
完整数据如下。除非另有说明,否则 EVM 条件为 VIN = 2.5V,VOUT = 1.8V,VBIAS = 5V,COUT = 2x100µF(请参阅表 9-4),CSS = 4.7µF,RREF = 12.0kΩ,RBIAS = 10Ω,CBIAS = 4.7µF,TA = 25°C,10Hz 至 100kHz 带宽下报告的积分噪声。
图 9-6 PSRR,IOUT = 100mA 图 9-8 噪声频谱密度,
IOUT = 100mA 辐照前:相位裕度 = 78°,增益裕度 = 24dB
辐照后:相位裕度 = 82°,增益裕度 = 23dB
图 9-10 波特图:器件 1,IOUT = 100mA辐照前:相位裕度 = 81°,增益裕度 = 23dB
辐照后:相位裕度 = 76°,增益裕度 = 26dB
图 9-12 波特图:器件 2,IOUT = 100mA辐照前:相位裕度 = 78°,增益裕度 = 24dB
辐照后:相位裕度 = 81°,增益裕度 = 21dB
图 9-14 波特图:器件 3,IOUT = 100mA图 9-7 PSRR,IOUT = 1A 图 9-9 噪声频谱密度,IOUT = 1A 辐照前:相位裕度 = 91°,增益裕度 = 18dB
辐照后:相位裕度 = 100°,增益裕度 = 16dB
图 9-11 波特图:器件 1,IOUT = 1A辐照前:相位裕度 = 96°,增益裕度 = 17dB
辐照后:相位裕度 = 88°,增益裕度 = 19dB
图 9-13 波特图:器件 2,IOUT = 1A辐照前:相位裕度 = 90°,增益裕度 = 18dB
辐照后:相位裕度 = 101°,增益裕度 = 15dB
图 9-15 波特图:器件 3,IOUT = 1A