ZHCSQF3B april   2022  – june 2023 TPSI2140-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. Revision History
  6. Pin Configuration and Functions
    1. 5.1 Pin Functions
  7. Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Power Ratings
    6. 6.6  Insulation Specifications
    7. 6.7  Safety-Related Certifications
    8. 6.8  Safety Limiting Values
    9. 6.9  Electrical Characteristics
    10. 6.10 Switching Characteristics
  8. Parameter Measurement Information
  9. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Avalanche Robustness
    4. 8.4 Device Functional Modes
  10. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Dielectric Withstand Testing (HiPot)
      2. 9.2.2 Design Requirements
      3. 9.2.3 Design Procedure - Chassis Ground Reference
    3. 9.3 Power Supply Recommendations
    4. 9.4 Layout
      1. 9.4.1 Layout Guidelines
      2. 9.4.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 Trademarks
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1:–40°C 至 125°C,TA
  • 集成雪崩额定 MOSFET
    • 针对过压条件下的可靠性认证进行设计和认证,包括系统级电介质耐压测试 (Hi-Pot)
      • IAVA = 2mA(5s 脉冲),1mA(60s 脉冲)
    • 1200V 关断电压
    • RON = 130Ω (TJ = 25°C)
    • TON,TOFF < 700μs
  • 低初级侧电源电流
    • 9mA 导通状态电流
    • 3.5 μA 关断状态电流
  • 功能安全型
    • 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 系统设计的文档
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 在 1000VRMS/1500VDC 工作电压下预计寿命超过 26 年
    • 隔离额定值 VISO 高达 3750VRMS/5300VDC
    • 峰值浪涌 VIOSM 高达 5000V
    • ± 100 V/ns CMTI(典型值)
  • SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装,具有宽引脚,可提高热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm(初级-次级)
    • 爬电距离和间隙 ≥ 6mm(开关端子之间)
  • 安全相关认证
    • (计划)DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • (计划)UL 1577 组件认证计划