ZHCSQF3B
april 2022 – june 2023
TPSI2140-Q1
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
Revision History
5
Pin Configuration and Functions
5.1
Pin Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Power Ratings
6.6
Insulation Specifications
6.7
Safety-Related Certifications
6.8
Safety Limiting Values
6.9
Electrical Characteristics
6.10
Switching Characteristics
7
Parameter Measurement Information
8
Detailed Description
8.1
Overview
8.2
Functional Block Diagram
8.3
Feature Description
8.3.1
Avalanche Robustness
8.4
Device Functional Modes
9
Application and Implementation
9.1
Application Information
9.2
Typical Application
9.2.1
Dielectric Withstand Testing (HiPot)
9.2.2
Design Requirements
9.2.3
Design Procedure - Chassis Ground Reference
9.3
Power Supply Recommendations
9.4
Layout
9.4.1
Layout Guidelines
9.4.2
Layout Example
10
Device and Documentation Support
10.1
接收文档更新通知
10.2
支持资源
10.3
Trademarks
10.4
静电放电警告
10.5
术语表
11
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
DWQ|11
MPSS144A
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhcsqf3b_oa
zhcsqf3b_pm
1
特性
符合汽车应用要求
AEC-Q100 等级 1:–40°C 至 125°C,T
A
集成雪崩额定 MOSFET
针对过压条件下的可靠性认证进行设计和认证,包括系统级电介质耐压测试 (Hi-Pot)
I
AVA
=
2mA(5s 脉冲),1mA(60s 脉冲)
1200V
关断电压
R
ON
=
130
Ω (T
J
= 25°C)
T
ON
,T
OFF
< 700μs
低初级侧电源电流
9mA 导通状态电流
3.5 μA 关断状态电流
功能安全型
可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 系统设计的
文档
稳健可靠的隔离栅:
在 1000V
RMS
/1500V
DC
工作电压下预计寿命超过 26 年
隔离额定值 V
ISO
高达 3750V
RMS
/5300V
DC
峰值浪涌 V
IOSM
高达 5000V
± 100 V/ns CMTI(典型值)
SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装
,具有宽引脚,可提高热性能
爬电距离和间隙 ≥ 8mm(初级-次级)
爬电距离和间隙 ≥
6
mm(开关端子之间)
安全相关认证
(计划)DIN VDE V 0884-11:2017-01
(计划)UL 1577 组件认证计划
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