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TPSI2140-Q1

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具有 2mA 雪崩额定值的汽车类 1200V 50mA 隔离开关

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TPSI2140-Q1

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 FET Internal Number of channels 1 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Imax (A) 0.05 Features 2-mA avalanche current, Capacitive isolation TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 Turnon time (enable) (ns) 70000 Turnoff time (disable) (ns) 100000 OFF-state leakage current (µA) 3.5 Rating Automotive Isolation rating Basic CMTI (min) (kV/µs) 100 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5300 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8
Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 FET Internal Number of channels 1 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Imax (A) 0.05 Features 2-mA avalanche current, Capacitive isolation TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 Turnon time (enable) (ns) 70000 Turnoff time (disable) (ns) 100000 OFF-state leakage current (µA) 3.5 Rating Automotive Isolation rating Basic CMTI (min) (kV/µs) 100 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5300 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8
SOIC (DWQ) 11 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，T A
  • 集成雪崩额定 MOSFET
    • 针对过压条件下的可靠性认证进行设计和认证，包括系统级电介质耐压测试 (Hi-Pot)
      • I AVA = 2mA（5s 脉冲），1mA（60s 脉冲）
    • 1200V 关断电压
    • R ON = 130Ω (T J = 25°C)
    • T ON，T OFF < 700µs
  • 低初级侧电源电流
    • 9mA 导通状态电流
    • 3.5 µA 关断状态电流
  • 功能安全型
    • 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 系统设计的 文档
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1000V RMS/1500V DC 工作电压下预计寿命超过 26 年
    • 隔离额定值 V ISO 高达 3750V RMS/5300V DC
    • 峰值浪涌 V IOSM 高达 5000V
    • ± 100 V/ns CMTI（典型值）
  • SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装 ，具有宽引脚，可提高热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
    • 爬电距离和间隙 ≥ 6mm（开关端子之间）
  • 安全相关认证
    • （计划）DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • （计划）UL 1577 组件认证计划
  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，T A
  • 集成雪崩额定 MOSFET
    • 针对过压条件下的可靠性认证进行设计和认证，包括系统级电介质耐压测试 (Hi-Pot)
      • I AVA = 2mA（5s 脉冲），1mA（60s 脉冲）
    • 1200V 关断电压
    • R ON = 130Ω (T J = 25°C)
    • T ON，T OFF < 700µs
  • 低初级侧电源电流
    • 9mA 导通状态电流
    • 3.5 µA 关断状态电流
  • 功能安全型
    • 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 系统设计的 文档
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1000V RMS/1500V DC 工作电压下预计寿命超过 26 年
    • 隔离额定值 V ISO 高达 3750V RMS/5300V DC
    • 峰值浪涌 V IOSM 高达 5000V
    • ± 100 V/ns CMTI（典型值）
  • SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装 ，具有宽引脚，可提高热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
    • 爬电距离和间隙 ≥ 6mm（开关端子之间）
  • 安全相关认证
    • （计划）DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • （计划）UL 1577 组件认证计划

TPSI2140-Q1 是一款 隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。 TPSI2140-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。

该器件的初级侧仅由 9mA 的输入电流供电，并集成了 一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚应由逻辑高电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中，VDD 和 EN 引脚可直接由系统电源或 GPIO 输出驱动。 TPSI2140-Q1 的所有控制配置都不需要光继电器解决方案通常所需的其他外部元件，例如电阻器和/或低侧开关。

次级侧都包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.2 kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。

TPSI2140-Q1 是一款 隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。 TPSI2140-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。

该器件的初级侧仅由 9mA 的输入电流供电，并集成了 一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚应由逻辑高电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中，VDD 和 EN 引脚可直接由系统电源或 GPIO 输出驱动。 TPSI2140-Q1 的所有控制配置都不需要光继电器解决方案通常所需的其他外部元件，例如电阻器和/或低侧开关。

次级侧都包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.2 kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。
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证书 TPSI2140Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) 2022年 4月 5日

设计和开发

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评估板

TPSI2140Q1EVM — TPSI2140-Q1 具有 2mA 雪崩额定值的 1200V 50mA 隔离开关评估模块

TPSI2140Q1EVM 评估模块是包含多个测试点和跳线的两铜层板，用于全面评估器件的功能。

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英语版 (Rev.A): PDF | HTML
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设计指南: PDF
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DWQ) 11 Ultra Librarian
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包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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