ZHCSDL6C November   2014  – March 2019 TS3DDR4000

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      应用图
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Static Electrical Characteristics
    6. 6.6 Dynamic Electrical Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Non-Volatile Dual In-line Memory Module (NVDIMM) application
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
      2. 9.2.2 Load Isolation Application
        1. 9.2.2.1 Design Requirements
        2. 9.2.2.2 Detailed Design Procedure
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 接收文档更新通知
    2. 12.2 社区资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 宽 VDD 范围：2.375V 至 3.6V
  • 高带宽：5.6GHz（单端典型值）；6.0GHz（差分典型值）
  • 低开关导通电阻 (RON)：8Ω（典型值）
  • 低位间偏差：3ps（典型值）；所有通道的最大值为 6ps
  • 低串扰：1067MHz 下的典型值为 –34dB
  • 低工作电流：40μA（典型值）
  • 具有低功耗模式，电流消耗极低：2µA（典型值）
  • IOFF保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
  • 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信令
  • 静电放电 (ESD) 性能:
    • 3kV 人体放电模式（A114B，II 类）
    • 1kV 组件充电模式 (C101)
  • 8mm x 3mm 48 焊球 0.65mm 间距 ZBA 封装
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