3kVRMS、隔离式直流/直流模块" />
ZHCSSG2 june 2023 – june 2023 UCC14140-Q1
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
输入电源(初级侧,所有电压均以 GNDP 为基准) | ||||||
VVIN | 输入电压范围(0.7W,(VDD-VEE)=25V,TA=85oC) | 初级侧输入电压至 GNDP | 8(1) | 12 | 18 | V |
输入电压范围(1.2W,(VDD-VEE)=25V,TA=85oC) | 初级侧输入电压至 GNDP | 11.4 | 12 | 12.6 | V | |
IVINQ_OFF | VIN 静态电流,已禁用 | VENA = 0V;VVIN = 8V 至 18V; | 600 | µA | ||
IVIN_ON_NO_LOAD | VIN 工作电流,已启用,空载 | VENA = 5V;VVIN = 8V 至 18V;(VDD-VEE) = 25V 调节;IVDD-VEE = 0mA。单路输出。 | 40 | mA | ||
IVIN_ON_FULL_LOAD | VIN 工作电流,已启用,满载 | VENA = 5V;VVIN = 8V 至 18V;(VDD-VEE) = 25V 调节;IVDD-VEE = 40mA。单路输出。 | 200 | mA | ||
VIN 工作电流,已启用,满载 | VENA = 5V;VVIN = 11.4V 至 12.6V;(VDD-VEE) = 25V 调节;IVDD-VEE = 60mA。单路输出。 | 270 | mA | |||
UVLOP 比较器(初级侧,所有电压均以 GNDP 为基准) | ||||||
VVIN_UVLOP_RISING | VIN 模拟欠压锁定上升阈值 | 模拟比较器始终先运行 | 7.8 | 8.2 | 8.5 | V |
VVIN_ UVLOP_FALLING | VIN 模拟欠压锁定下降阈值 | 模拟比较器始终先运行 | 7 | 7.4 | 7.7 | V |
OVLO 比较器(初级侧,所有电压均以 GNDP 为基准) | ||||||
VVIN_OVLO_RISING | VIN 过压锁定上升阈值 | 20.9 | 22 | 23.1 | V | |
VVIN_OVLO_FALLING | VIN 过压锁定下降阈值 | 19 | 20 | 21 | V | |
TSHUTP 热关断比较器(初级侧,所有电压均以 GNDP 为基准) | ||||||
TSHUTPPRIMARY_RISING | 初级侧过热关断上升阈值 | 首次上电时,TJ 需要低于 140°C 才能启用 | 150 | 160 | 170 | °C |
TSHUTPPRIMARY_HYST | 初级侧过热关断迟滞 | 15 | 20 | 25 | °C | |
ENA 输入引脚(初级侧,所有电压均以 GNDP 为基准) | ||||||
VEN_IR | 输入电压上升阈值,逻辑高电平 | 上升沿 | 2.1 | V | ||
VEN_IF | 输入电压下降阈值,逻辑低电平 | 下降沿 | 0.8 | V | ||
IEN | 使能引脚输入电流 | VENA = 5.0V | 5 | 10 | µA | |
PG 开漏输出引脚(初级侧,所有电压均以 GNDP 为基准) | ||||||
VPG_OUT_LO | PG 输出低饱和电压 | 灌电流 = 5mA,电源正常 | 0.5 | V | ||
IPG_OUT_HI | PG 漏电流 | VPG = 5.5V,电源不正常 | 5 | µA | ||
初级侧控制(所有电压均以 GNDP 为基准) | ||||||
FSW | 开关频率 | VVIN = 12V;VENA = 5V;(VDD-VEE) = 25V | 16 | MHz | ||
FSSM | 展频调制 (SSM) 三角波形的频率 | 仅在初级侧启动期间,在 VIN 高于 UVLOP 且 ENA 为高电平之后启动;FSS_BURST_P = 125kHz | 90 | kHz | ||
FCARRIER 的 SSM 百分比变化 | 三角波形展频调制 (SSM) 期间载波频率的 SSM 百分比变化 | 仅在初级侧启动期间,在 VIN 高于 UVLOP 且 ENA 为高电平之后启动;FSS_BURST_P = 125kHz | 5 | % | ||
tSOFT_START_TIME_OUT | 初级侧软启动超时 | 当 VIN 高于 UVLOP 且 ENA 为高电平时计时器开始工作,当电源正常引脚指示正常时复位 | 28.4 | ms | ||
(VDD-VEE) 输出电压(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准) | ||||||
VVDD_RANGE | (VDD-VEE) 输出电压范围 | 15 | 25 | V | ||
VVDD_DC_ACCURACY | (VDD-VEE) 输出电压直流调节精度 | 次级侧 (VDD-VEE) 输出电压,在负载、线性变化和温度范围内,通过外部电阻分压器进行外部调节,在 SOA 范围内。 |
-1.3 | 1.3 | % | |
(VDD-VEE) 调节迟滞比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准) | ||||||
VFBVDD_REF | (VDD-VEE) 的反馈调节基准电压 | (VDD-VEE) 稳压输出 | 2.4675 | 2.5 | 2.5325 | V |
VFBVDD_HYSTCMP_HYST | (VDD-VEE) 迟滞比较器迟滞设置。 VFBVDD 引脚迟滞。 |
迟滞设置 | 9 | 10 | 12.3 | mV |
(COM-VEE) 输出电压(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准) | ||||||
VVEE_RANGE | (COM-VEE) 输出电压范围 | 次级侧 (COM-VEE),通过外部电阻分压器进行调节 | 2.5 | (VDD-VEE) | V | |
VVEE_DC_ACURACY | (COM-VEE) 输出电压直流 调节精度 |
次级侧 (COM-VEE) 输出电压,在负载、线性变化和温度范围内,通过外部电阻分压器 进行外部调节 |
–1.3 | 1.3 | % | |
(COM-VEE) 调节迟滞比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准) | ||||||
VFBVEE_REF | (COM-VEE) 的反馈调节基准电压 | (COM-VEE) 稳压输出 | 2.4675 | 2.5 | 2.5325 | V |
VRLIM_SHORT_CHRG_CMP_RISE | 用于退出 PWM 的 Rlim 短路充电比较器上升阈值 | 上升阈值 | 0.73 | V | ||
tRLIM_SHORT_CHRG_ON_TIME | RLIM 引脚短路充电 PWM 模式期间的导通时间 | RLIM 引脚 < 0.645V,而 FBVEE 引脚 < 2.48V | 1.1 | us | ||
tRLIM_SHORT_CHRG_OFF_TIME | RLIM 引脚短路充电 PWM 模式期间的关断时间 | RLIM 引脚 < 0.645V,而 FBVEE 引脚 < 2.48V | 5 | us | ||
(VDD-VEE) UVLO 比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准) | ||||||
VVDD_UVLOS_RISING | (VDD-VEE) 欠压锁定上升阈值 | FBVDD 处的电压 | 0.9 | V | ||
VVDD_UVLOS_HYST | (VDD-VEE) 欠压锁定迟滞 | FBVDD 处的电压 | 0.2 | V | ||
(VDD-VEE) OVLO 比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准) | ||||||
VVDD_OVLOS_RISING | (VDD-VEE) 过压锁定上升阈值 | 电压范围为 VDD 至 VEE,上升 | 29.45 | 31 | 32.55 | V |
VVDD_OVLOS_FALLING | (VDD-VEE) 过压锁定下降阈值 | 电压范围为 VDD 至 VEE,下降 | 27.55 | 29 | 30.45 | V |
软启动(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准) | ||||||
tdeglitch | 软启动期间、PG 之前,(VDD-VEE) UVP 和 (COM-VEE) UVP 及 OVP 的抗尖峰脉冲时间 | 3 | ms | |||
(VDD-VEE) UVP,欠压保护比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准) | ||||||
VVDD_UVP_RISING | (VDD-VEE) 欠压保护上升阈值,VUVP = VREF × 90% | 2.175 | 2.25 | 2.35 | V | |
VVDD_UVP_HYST | (VDD-VEE) 欠压保护迟滞 | 20 | mV | |||
(VDD-VEE) OVP,过压保护比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准) | ||||||
VVDD_OVP_RISING | (VDD – VEE) 过压保护上升阈值,VOVP = VREF × 110% | 2.7 | 2.75 | 2.825 | V | |
VVDD_OVP_HYST | (VDD-VEE) 过压保护迟滞 | 20 | mV | |||
(COM-VEE) UVP,欠压保护比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准) | ||||||
VVEE_UVP_RISING | (COM-VEE) 欠压保护上升阈值,VUVP = VREF × 90% | 2.1 | 2.25 | 2.4 | V | |
VVEE_UVP_HYST | (COM-VEE) 欠压保护迟滞 | 20 | mV | |||
(COM-VEE) OVP,过压保护比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准) | ||||||
VVEE_OVP_RISING | (COM-VEE) 过压保护上升阈值,VOVP = VREF × 110% | 2.7 | 2.75 | 2.825 | V | |
VVEE_OVP_HYST | (COM-VEE) 过压保护迟滞 | 20 | mV | |||
TSHUTS 热关断比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准) | ||||||
TSHUTSSECONDARY_RISE | 次级侧过热关断上升阈值 | 首次上电时,Tj 需要低于 140oC 才能启用。 | 150 | 160 | 170 | °C |
TSHUTSSECONDARY_HYST | 次级侧过热关断迟滞 | 15 | 20 | 25 | °C | |
CMTI(共模瞬态抗扰度) | ||||||
CMTI | 共模瞬态抗扰度 | 以 GNDP 为基准的正 VEE | 150 | V/ns | ||
以 GNDP 为基准的负 VEE | -150 | V/ns | ||||
集成式 MAGLAM 变压器(初级侧至次级侧。注意:这些值对于每个 XFMR 版本都是唯一的) | ||||||
N | 变压器有效匝数比 | 次级侧至初级侧 | 2.72 | - |