ZHCSHS5B February 2018 – February 2024 UCC21222
PRODUCTION DATA
UCC21222 器件是具有可编程死区时间的隔离式双通道栅极驱动器。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。
器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出,能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍,而无内部击穿风险。
输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。
可通过电阻器进行编程的死区时间帮助您调整系统限制的死区时间,从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括:当 DIS 设置为高电平时,通过禁用功能同时关闭两路输出;集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变;以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。
器件型号(1) | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
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UCC21222 | D (SOIC 16) | 9.9mm × 3.91mm |