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隔离式栅极驱动器

UCC21222

正在供货

具有禁用引脚、可编程死区时间和 8V UVLO 的 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

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该米6体育平台手机版_好二三四会持续为现有客户提供。新设计应考虑替代米6体育平台手机版_好二三四。
功能优于所比较器件的普遍直接替代米6体育平台手机版_好二三四
新 UCC21330 正在供货 具有禁用逻辑和可编程死区时间的 3kVRMS 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 Improved CMTI, faster VDD startup

UCC21222

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6
  • 可通过电阻器编程的死区时间
  • 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 5.5V
  • 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V VDD UVLO
  • 开关参数：
    • 28ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 5.5ns 最大脉宽失真
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 集成抗尖峰脉冲滤波器
  • I/O 承受 –2V 电压的时间达 200ns
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 隔离栅寿命 >40 年
  • 浪涌抗扰度高达 7800VPK
  • 窄体 SOIC-16 (D) 封装
  • 安全相关认证（计划）：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
    • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
  • 使用 UCC21222 并借助 WEBENCH® Power Designer 创建定制设计
  • 可通过电阻器编程的死区时间
  • 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 5.5V
  • 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V VDD UVLO
  • 开关参数：
    • 28ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 5.5ns 最大脉宽失真
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 集成抗尖峰脉冲滤波器
  • I/O 承受 –2V 电压的时间达 200ns
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 隔离栅寿命 >40 年
  • 浪涌抗扰度高达 7800VPK
  • 窄体 SOIC-16 (D) 封装
  • 安全相关认证（计划）：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
    • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
  • 使用 UCC21222 并借助 WEBENCH® Power Designer 创建定制设计

UCC21222 器件是具有可编程死区时间的隔离式双通道栅极驱动器。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。

输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。

可通过电阻器进行编程的死区时间帮助您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

UCC21222 器件是具有可编程死区时间的隔离式双通道栅极驱动器。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。

输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。

可通过电阻器进行编程的死区时间帮助您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。
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* 数据表 UCC21222 4A、6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 （具有死区时间） 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2024年 2月 21日
证书 VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. W) 2024年 1月 31日
证书 UCC21220 CQC Certificate of Product Certification 2023年 8月 16日
应用简报 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 11月 14日
证书 FPPT2 - Nonoptical Isolating Devices UL 1577 Certificate of Compliance 2021年 10月 26日
白皮书 隔离式栅极驱动器的影响 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2021年 4月 14日
应用简报 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用简报 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
测试报告 Peak Efficiency at 99%, 585-W High-Voltage Buck Reference Design 2020年 4月 24日
证书 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 2019年 7月 22日
用户指南 Gate Drive Voltage vs. Efficiency 2019年 4月 25日
应用简报 How to Drive High Voltage GaN FETs with UCC21220A 2019年 3月 6日
应用手册 Common Mode Transient Immunity (CMTI) for UCC2122x Isolated Gate Drivers 2018年 7月 19日
白皮书 Demystifying high-voltage power electronics for solar inverters 2018年 6月 6日
应用手册 Solar Inverter Layout Considerations for UCC21220 2018年 6月 6日
技术文章 Boosting efficiency for your solar inverter designs PDF | HTML 2018年 5月 24日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A/6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21220EVM-009 专为评估 UCC21220 而设计，后者是一款具有 4.0A 拉电流和 6.0A 峰值灌电流容量的 3.0kVRMS 隔离双通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

SLUM622.ZIP (57 KB) - PSpice Model
下载
仿真模型

UCC21222-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM623.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

SLURAZ5 — UCC21520 Bootstrap Calculator 1.0

支持的米6体育平台手机版_好二三四和硬件

支持的米6体育平台手机版_好二三四和硬件

米6体育平台手机版_好二三四
隔离式栅极驱动器
UCC21220 — 适用于 MOSFET 和 GaNFET 的具有禁用引脚和 8V UVLO 的 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 UCC21222 — 具有禁用引脚、可编程死区时间和 8V UVLO 的 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 UCC21520 — 采用 DW 封装且具有双引脚输入和禁用引脚的 5.7kVRMS 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 UCC21521 — 具有双输入、使能引脚、8V UVLO 且采用 LGA 封装的 5.7kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器
下载
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源米6体育平台手机版_好二三四系列以及精选的模拟行为模型。

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参考设计

PMP41006 — 由 C2000™ 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1kW 参考设计

此参考设计在使用 C2000™ F28004x 微控制器的半桥 LLC 级上演示了一种混合迟滞控制 (HHC) 方法，这是一种电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 钛金级、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。通过另行添加感应卡实现了混合迟滞控制，从而在谐振电容器上重新生成电压。与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比，该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。
测试报告: PDF
参考设计

TIDA-010203 — 采用 C2000 和 GaN 的 4kW 单相图腾柱 PFC 参考设计

此参考设计是一款 4kW CCM 图腾柱 PFC，采用 F280049/F280025 控制卡和 LMG342x EVM 电路板。此设计展示了一个强大的 PFC 解决方案，它通过将控制器接地置于 MOSFET 桥臂的中间来避免隔离式电流感应。得益于非隔离特性，可以通过高速放大器 OPA607 来实现交流电流感应，从而帮助实现可靠的过电流保护。在此设计中，效率、热感图像、交流压降、雷电浪涌和 EMI CE 均进行了充分的验证。该参考设计具有完整的测试数据，显示了图腾柱 PFC 通过 C2000 和 GaN 具有更高的成熟度，并且是高效米6体育平台手机版_好二三四 PFC 级设计的良好研究平台。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP41043 — 由 C2000 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1.6kW 参考设计

此参考设计在使用 C2000 F28004x 微控制器的半桥 LLC 级上演示了一种混合迟滞控制 (HHC) 方法，这是一种电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 钛金级、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。通过另行添加感应卡实现了混合迟滞控制，从而在谐振电容器上重新生成电压。

与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比，该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。

测试报告: PDF
参考设计

PMP40500 — 54VDC 输入，12V、42A 输出半桥参考设计

这款 12V、42A 输出半桥参考设计适用于有线网络园区和分支交换机中的总线转换器。该设计具有高效率和各种故障保护功能（过流和短路）。该设计对使用 3kVRMS 基本和功能隔离栅驱动器 UCC21220D、UCC21220AD、UCC21222D 和使用 5.7kRMS 增强型隔离栅驱动器 UCC21540D、UCC21540DWK 及 UCC21541DW 的效率进行了比较。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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