ZHCSPU2E December 2022 – January 2024 UCC21551-Q1
PRODUCTION DATA
可通过在 DT 引脚和 GND 之间放置一个电阻器 RDT 来对 tDT 编程。可以根据 方程式 1 来确定合适的 RDT 值,其中 RDT 以 kΩ 为单位,tDT 以 ns 为单位:
当 RDT = 100kΩ 时,DT 引脚电流将小于 10µA。不建议将 DT 引脚悬空。
一个输入信号下降沿会激活另一个信号的已编程死区时间。输出信号死区时间始终设置为驱动器编程的死区时间或输入信号的死区时间中的较长值。如果两个输入同时都处于高电平,则两个输出都将立即被设为低电平。此特性用于防止击穿,并且它并不影响正常运行所需的已编程设定的死区时间。节 7.3.2 显示并说明了各种驱动器死区时间逻辑工作条件:
条件 A:INB 变为低电平,INA 变为高电平。INB 立即将 OUTB 设为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTA。在已编程设定的死区时间后,OUTA 能够变为高电平。
条件 B:INB 变为高电平,INA 变为低电平。INA 现在立即将 OUTA 设为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTB。在已编程设定的死区时间后,OUTB 能够变为高电平。
条件 C:INB 变为低电平,INA 仍为低电平。INB 立即将 OUTB 设为低电平并为 OUTA 分配已编程死区时间。在这种情况下,输入信号的自身死区时间长于已编程死区时间。因此,当 INA 变为高电平时,INA 立即将 OUTA 设为高电平。
条件 D:INA 变为低电平,INA 仍为低电平。INA 立即将 OUTA 设为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTB。INB 的自身死区时间长于已编程死区时间。因此,当 INB 变为高电平时,INB 立即将 OUTB 设为高电平。
条件 E:INA 变为高电平,而 INB 和 OUTB 仍为高电平。为了避免击穿,INA 会立即将 OUTB 拉至低电平并使 OUTA 保持低电平状态。一段时间后,OUTB 变为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTA。OUTB 已经为低电平。在已编程设定的死区时间后,OUTA 能够变为高电平。
条件 F:INB 变为高电平,而 INA 和 OUTA 仍为高电平。为了避免击穿,INB 会立即将 OUTA 拉至低电平并使 OUTB 保持低电平状态。一段时间后,OUTA 变为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTB。OUTA 已经为低电平。在已编程设定的死区时间后,OUTB 能够变为高电平。