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UCC21551-Q1

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适用于 IGBT 和 SiC、具有 EN 和 DT 引脚的汽车类4A/6A 5kVRMS 双通道隔离式栅极驱动器

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UCC21551-Q1

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7070 TI functional safety category Functional Safety-Capable Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12, 17
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7070 TI functional safety category Functional Safety-Capable Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12, 17
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 12V 和 17V VDD UVLO 选项
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 6ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 电源时序快速启用
  • 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 12V 和 17V VDD UVLO 选项
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 6ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 电源时序快速启用

UCC21551x-Q1 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。

UCC21551x-Q1 可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级特性，UCC21551x-Q1 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

UCC21551x-Q1 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。

UCC21551x-Q1 可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级特性，UCC21551x-Q1 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 UCC21551x-Q1 汽车类 4A、6A 增强型隔离双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. E) PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.G) PDF | HTML 2024年 2月 7日
证书 CQC Certificate for UCC21551xx 2024年 8月 27日
证书 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) 2024年 2月 29日
功能安全信息 UCC21551x-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2023年 9月 13日
应用手册 OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点 2023年 1月 13日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC21551CQEVM-079 — UCC21551 4A、6A 双通道隔离式栅极驱动器评估模块

UCC21551CQEVM 是包含多个测试点和跳线的双层覆铜 PCB，用于全面评估 UCC21551 的功能。该 EVM 具有 PWM 输入控制、板载可调电源、分立式 FET 插座、用于低侧保护的外部有源钳位、自举高侧、负栅极电压功能、可配置死区时间开关、EN/DIS 跳线以及用于 Wolfspeed XM3 SiC 半桥电源模块的插座。经过优化的布局可最大限度地减小每个通道的环路面积，旁路电容器的放置可实现干净清晰的信号读取和最小的噪声干扰。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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仿真模型

UCC21551-Q1 PSpice Transient Reference Design Model

SLUM866.ZIP (175 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC21551-Q1 TINA-TI Reference Design

SLUM863.TSC (9409 KB) - TINA-TI Reference Design
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原理图

UCC21551 Schematic and Layout Design Guidelines

SZZM003.ZIP (1554 KB)
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模拟工具

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  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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