UCC27614-Q1 器件的输出级如“UCC27614-Q1 栅极驱动器输出”部分所示。UCC27614-Q1 器件的输出级上具有独特的架构，从而能够在电源开关导通转换的米勒平坦区期间最需要时（此时电源开关漏极/集电极电压经历 dV/dt）提供最高的峰值拉电流。器件输出级具有混合上拉结构，该结构使用 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 器件并行排列。通过在输出状态从低电平变为高电平的短暂片刻期间导通 N 沟道 MOSFET，栅极驱动器器件能够短暂增大峰值拉电流，从而实现快速导通。该 N 沟道 MOSFET 的导通电阻 (R_NMOS) 在激活时约为 0.52Ω。

图 6-4 UCC27614-Q1 栅极驱动器输出级

R_OH 参数（请参阅“电气特性”表）是一项直流测量，仅表示 P 沟道器件的导通电阻，因为 N 沟道器件仅在输出状态从低电平变为高电平期间导通。因此，混合上拉级的有效电阻远低于 R_OH 参数表示的有效电阻。下拉结构仅包含 N 沟道 MOSFET。R_OL 也是一项直流测量，表示器件中下拉级的真实阻抗。

UCC27614-Q1 可以在 VDD = 12V 时提供 10A 拉电流和高达 10A 的灌电流。强大的灌电流能力导致驱动器输出级的下拉阻抗非常低，从而提高了抗寄生米勒导通（高压摆率 dV/dt 导通）效应的能力，这种现象常见于 IGBT 和 FET 电源开关。

需要关注米勒导通效应问题的一个示例是同步整流 (SR)。在 SR 应用中，当 MOSFET 已经由栅极驱动器保持在关闭状态时，MOSFET 漏极上会发生 dV/dt。在该高 dV/dt 由驱动器的下拉级进行分流期间，电流会使 C_GD 米勒电容放电。如果下拉阻抗不够低，那么电压尖峰可能会导致 MOSFET 的 V_GS，从而导致杂散导通。图 6-5 中展示了该现象。

图 6-5 UCC27614-Q1 中的低下拉阻抗（输出级可减轻米勒导通效应）

由于输出级具有低压降，因此驱动器的输出电压在 VDD 和 GND 之间摆动，实现了轨到轨运行。在大多数应用中，无需使用外部肖特基二极管钳位，因为 MOSFET 体二极管的存在可为开关过冲和下冲提供低阻抗。UCC27614-Q1 器件的输出级可以处理较大的瞬态反向电流。器件的两个 OUT 引脚应该在应用板上短接。在 MOSFET 或 IGBT 的栅极处，应用可以使用电阻器和并联二极管电阻器组合来设定不同的上升（上拉电流）时间和下降（下拉电流）时间。