主要限制因素 2：反向復原損耗

在降壓轉換器中，當低側 MOSFET 本體二極體進行電流傳導，反向復原會在高側 MOSFET 開啟時發生，迫使低側二極體電流快速轉換至高側 MOSFET。在此轉換過程中，需要電流才能將造成直接切換損耗的低側二極體少數電荷移除，詳情參見方程式 4。

方程式 4.

E_{R R} = (V_{I N} \times I_{L} {\times t}_{R R}) + (V_{I N} {\times Q}_{R R})

減少二極體反向復原影響的最佳方式之一，是透過最佳化 MOSFET 設計減少儲存電荷 (Q_RR)，或者縮短或消除上升邊緣失效時間，進而將損耗造成的影響完全抵消。