外部電容器的洩漏是一大問題。任何穩壓器的輸入和輸出電容器都會增加 I_Q。圖 19 說明評估外部電容器洩漏的好方法，此方法會針對不同電容器絕緣電阻 (Rp) 規格，量測電容器電壓壓降與時間的變化。以獨立於產品規格書資料的方式量測電容器洩漏是好主意。將電容器充電至已知電壓並監控隨時間產生的壓降，是將各種電容器選項量化並進行比較的絕佳方式。絕緣電阻最大的電容器隨時間產生的壓降將會最少。

圖 19 不同絕緣電阻電壓壓降與時間的關係。

除了電容器洩漏外，電壓計的輸入阻抗在低 I_Q 量測配置中也扮演了重要角色，並可能導致錯誤結果。若放在電源穩壓器的輸入或輸出處，當供應或輸出電壓為 5V 時，一般 10-MΩ 阻抗的電壓計將會產生 500 nA。這樣的外部洩漏比 TPS7A02 LDO 25-nA I_Q 的內部本身消耗 I_Q 要多出 20 倍。

透過適當量測方式並適當放置伏特與電流計，即可避免量測誤差。 圖 20 說明不同測試配置對效率產生的影響，對 0.1 mA 以下負載來說影響已非常顯著。如需避免超低 I_Q 量測配置問題的最佳選擇秘訣，請參閱 Analog Design Journal 文章精確測量超低 I_Q 裝置的效率。

圖 20 依配置所得到的不同量測結果效率。