ZHCAAN6E December   2023  – June 2024 LM2901 , LM2901B , LM2901B-Q1 , LM2903 , LM2903-Q1 , LM2903B , LM2903B-Q1 , LM339 , LM339-N , LM393 , LM393-N , LM393B , LM397 , TL331 , TL331-Q1 , TL331B

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 应用手册中包含的器件
    1. 1.1 基本器件型号
    2. 1.2 输入失调电压等级
    3. 1.3 最大电源电压
    4. 1.4 高可靠性选项
  5. 2 新的 TL331B、TL391B、LM339B、LM393B、LM2901B 和 LM2903B B 版本
  6. 3 PCN 之经典芯片更改为新芯片设计
    1. 3.1 针对单通道和双通道（TL331 和 LMx93/LM2903）的 PCN #1
    2. 3.2 针对单通道和双通道（TL331 和 LMx93/LM2903）的 PCN #2
    3. 3.3 针对四通道 (LMx39/LM2901) 的 PCN
    4. 3.4 器件 PCN 概要
    5. 3.5 确定使用的芯片版本
      1. 3.5.1 确定用于单通道 TL331 和双通道 LM293、LM393 和 LM2903 的芯片 — PCN #1 (Ji3)
      2. 3.5.2 确定用于单通道 TL331 和双通道 LM293、LM393 和 LM2903 的芯片 — PCN #2 (TiB)
      3. 3.5.3 确定用于四通道 LM139、LM239、LM339 和 LM2901 的芯片
  7. 4 更改封装顶部标识
  8. 5 输入注意事项
    1. 5.1  输入级原理图 – 经典 LM339 系列
    2. 5.2  输入级原理图 — 新的 B 和 TiB 器件
    3. 5.3  经典、B 和 TiB 芯片器件之间的差异
    4. 5.4  输入电压范围
    5. 5.5  输入电压范围与共模电压范围间的关系
    6. 5.6  输入范围余量限制的原因
    7. 5.7  输入电压范围特性
    8. 5.8  两个输入都高于输入范围的行为
    9. 5.9  负输入电压
      1. 5.9.1 最大输入电流
      2. 5.9.2 相位反转或反相
      3. 5.9.3 保护输入免受负电压的影响
        1. 5.9.3.1 简单电阻器和二极管钳位
        2. 5.9.3.2 带钳位的分压器
          1. 5.9.3.2.1 带钳位的分体式分压器
    10. 5.10 上电行为
    11. 5.11 电容器和迟滞
    12. 5.12 输出-输入串扰
  9. 6 输出级注意事项
    1. 6.1 输出 VOL 和 IOL
    2. 6.2 上拉电阻器选择
    3. 6.3 短路灌电流
    4. 6.4 将输出上拉至高于 Vcc
    5. 6.5 施加到输出的负电压
    6. 6.6 向输出端添加大型滤波电容器
  10. 7 电源注意事项
    1. 7.1 电源旁路
      1. 7.1.1 低 VCC 引导
      2. 7.1.2 双电源用法
  11. 8 比较器常规用法
    1. 8.1 比较器未使用通道的接线
      1. 8.1.1 禁止将输入端直接接地
      2. 8.1.2 比较器未使用输入的接线
      3. 8.1.3 保持输出悬空
      4. 8.1.4 原型设计
  12. 9 PSpice 和 TINA TI 模型
  13. 10结语
  14. 11相关文档
    1. 11.1 相关链接
  15. 12修订历史记录

3.4 器件 PCN 概要

器件 PCN 概要 总结了 PCN 之前和 PCN 之后行为之间的差异。

表 3-1 器件 PCN 概要

器件系列

（包括 -Q1）

芯片原产地包装标签字段

(20L) CSO : _ _ _

芯片原产国/地区包装标签字段

(21L) CCO : _ _ _

芯片加工两个输入都高于输入范围输出的行为
LM139/239/339（PCN 之前）SHEUSAJi1低电平
LM139/239/339（PCN 之后）RFBUSATiB低电平
LM339BRFBUSATiB高电平
LM2901（PCN 之前）SHEUSAJi1低电平
LM2901（PCN 之后）RFBUSATiB低电平
LM2901BRFBUSATiB高电平
LM193/293/393（PCN 之前）SHEUSAJi1低电平
LM193/293/393（PCN #1 之后）CU3CHNJi3高电平
LM193/293/393（PCN #2 之后）

RFB

USA

TiB

低电平

LM393BCU3CHNJi3高电平
LM2903（PCN 之前）SHEUSAJi1低电平
LM2903（PCN #1 之后）CU3CHNJi3高电平
LM2903（PCN #2 之后）

RFB

USA

TiB

低电平

LM2903BCU3CHNJi3高电平
TL331（PCN 之前）SHEUSAJi1低电平
TL331（PCN #1 之后）

CU3

CHNJi3高电平
TL331（PCN #2 之后）

RFB

USA

TiB

低电平

TL331BCU3

CHN

Ji3

高电平

芯片工艺说明：

  • Ji1 是原始的经典 器件工艺（输出低电平）。
  • Ji3 是“B”器件芯片，同时也是针对单通道和双通道（输出高电平）的 PCN #1 之后的芯片。
  • TiB 是用于针对四通道的 PCN 和针对单通道和双通道（输出低电平）的 PCN #2 之后的工艺。尚未针对四通道器件公开发布 Ji3 版本。
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