ZHCAAN8F May   2023  – August 2024 AM67 , AM67A , AM68 , AM68A , AM69 , AM69A , DRA821U , DRA821U-Q1 , DRA829J , DRA829J-Q1 , DRA829V , DRA829V-Q1 , TDA4AEN-Q1 , TDA4AH-Q1 , TDA4AL-Q1 , TDA4AP-Q1 , TDA4APE-Q1 , TDA4VE-Q1 , TDA4VEN-Q1 , TDA4VH-Q1 , TDA4VL-Q1 , TDA4VM , TDA4VM-Q1 , TDA4VP-Q1 , TDA4VPE-Q1

 

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  2.   Jacinto7 AM6x/TDA4x/DRA8x LPDDR4 设计指南
  3.   商标
  4. 1概述
    1. 1.1 支持文档
    2. 1.2 支持的电路板设计
    3. 1.3 通用电路板布局指南
    4. 1.4 PCB 堆叠
    5. 1.5 旁路电容器
      1. 1.5.1 大容量旁路电容器
      2. 1.5.2 高速旁路电容器
    6. 1.6 速度补偿
  5. 2LPDDR4 电路板设计和布局指南
    1. 2.1  LPDDR4 简介
    2. 2.2  受支持的 LPDDR4 器件的实现
    3. 2.3  LPDDR4 接口原理图
    4. 2.4  兼容的 JEDEC LPDDR4 器件
    5. 2.5  放置
    6. 2.6  LPDDR4 禁止区域
    7. 2.7  网类别
    8. 2.8  LPDDR4 信号端接
    9. 2.9  LPDDR4 VREF 布线
    10. 2.10 LPDDR4 VTT
    11. 2.11 CK、CMD_ADDR 和 CTRL 拓扑
    12. 2.12 数据组拓扑
    13. 2.13 CK、CMD_ADDR 和 CTRL 布线规格
    14. 2.14 数据组布线规格
    15. 2.15 通道、字节和位交换
  6. 3LPDDR4 电路板设计仿真
    1. 3.1 电路板模型提取
    2. 3.2 电路板模型验证
    3. 3.3 S 参数检查
    4. 3.4 时域反射法 (TDR) 分析
    5. 3.5 仿真完整性分析
      1. 3.5.1 仿真设置
      2. 3.5.2 仿真参数
      3. 3.5.3 仿真目标
        1. 3.5.3.1 波形质量
        2. 3.5.3.2 眼图质量
        3. 3.5.3.3 延迟报告
        4. 3.5.3.4 模板报告
    6. 3.6 设计示例
      1. 3.6.1 堆叠
      2. 3.6.2 布线
      3. 3.6.3 模型验证
      4. 3.6.4 仿真结果
  7. 4修订历史记录

1.5 旁路电容器

建议遵循 TI 的 EVM 进行去耦电容器计数和选择。以下几节提供了一些关于去耦的一般指导，但建议遵循 EVM。这是因为 DDR 已经在 EVM 上进行了测试/验证。电源去耦还包括 PCB 设计元件，因此可能需要更改去耦以解决 PCB 差异。
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