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高速 (HS) 旁路电容器对于 DDR 接口的正常运行至关重要。更大限度地减小连接到 VDDS_DDR 和相关接地接头的 HS 旁路电容器的寄生串联电感尤为重要。表 1-3 包含针对 HS 旁路电容器和 PCB 上的电源接头的规格。一般来说，TI 建议：

有关任何其他 SDRAM 要求，请参阅制造商的数据表。

表 1-3 高速旁路电容器

编号	参数	最小值	典型值	最大值	单位
1	HS 旁路电容器封装尺寸⁽¹⁾		0201	0402	Mil
2	HS 旁路电容器到被旁路的处理器的距离⁽²⁾⁽³⁾⁽⁴⁾			400	Mil
3	每个 VDDS_DDR 电源轨的处理器 HS 旁路电容器数量	12			器件
4	每个 VDDS_DDR 电源轨的处理器 HS 旁路电容器总电容	3.7			µF
5	每个器件电源/接地焊球的连接过孔数量	1			个过孔
6	从处理器电源/接地焊球到连接过孔的布线长度⁽²⁾		35	70	Mil
7	HS 旁路电容器到被旁路的 DDR 器件的距离⁽⁵⁾			150	Mil
18	DDR 器件 HS 旁路电容器数量⁽⁶⁾	12			器件
19	DDR 器件 HS 旁路电容器总电容⁽⁶⁾	0.85			µF
10	每个 DDR 器件电源/接地焊球的连接过孔数量	1			个过孔
11	从 DDR 器件电源/接地焊球到连接过孔的布线长度⁽²⁾⁽⁸⁾		35	60	Mil
12	每个 HS 电容器的连接过孔数量⁽⁷⁾⁽⁸⁾	2			个过孔
13	从旁路电容器到连接过孔的布线长度⁽²⁾⁽⁸⁾		35	100	Mil

(1) LxW，10mil 单位，即 0402 是一种 40 x 20mil 表面贴装电容器。

(2) 越近/越短越好。

(3) 从最近的处理器电源或接地焊球到电容器封装中心进行测量。

(4) 其中五个电容器应位于处理器下方的 VDDS_DDR 焊球簇中。其中两个电容器应位于处理器下方的 VDDS_DDR_BIAS 焊球簇中。

(5) 从 DDR 器件电源或接地焊球到电容器封装中心进行测量。请参阅 SDRAM 制造商提供的指南。

(6) 每个 DDR 器件。更多相关信息，请参阅 SDRAM 制造商提供的指南。

(7) 仅当附加 HS 旁路电容器安装在电路板的另一侧时，它才能共享连接过孔。不允许在电路板的同一侧共享过孔。

(8) HS 旁路电容器可与安装在 PCB 同一侧的 DDR 器件共享一个过孔。应使用较宽的布线进行连接，并且从电容器焊盘到 DDR 器件焊盘的长度应小于 150mil。