4 封装类型

封装类型对热性能具有重大影响。在下面的讨论中，封装分为两大类：底部有裸片附接焊盘 (DAP) 的封装和底部无 DAP 的封装。当然，不同封装之间还有更多的区别和其他重要功能的差异，但从散热角度来看，这一区别最为重要。例如，LMR33630 可同时采用 HSOIC 和倒装芯片（或 HotRod™）QFN 封装，如图 4-1 所示。

图 4-1 LMR33630-Q1 封装类型.

对于该系列器件，图 4-2 显示了两种封装之间 θ_JA 的差异。这些值基于 JEDEC 标准板，很明显，HSOIC 封装的热阻低得多。不利之处也是显而易见的；在本例中，HSOIC 封装的面积是倒装芯片 QFN 面积的三倍以上。与完全暴露引脚的较大封装相比，将 QFN 封装组装到 PCB 时需要更加小心。图 4-3 和图 4-4 帮助解释了这两个示例封装之间的热阻差异。HSOIC 具有一个直接附接到稳压器裸片的大金属散热板（即 DAP）。相应地，DAP 被焊接到 PCB 铜散热器上。这提供了从裸片（热发生器）到散热器和外部环境的一种非常低的热阻路径。因此，大约 80% 的热量流经 DAP，20% 流经引线，而极少的热量流经塑料。这使得 DAP（通常为电气接地）下的铜能够非常有效地散去封装中的热量。

使用倒装芯片封装时，裸片（或基板）背面朝上，远离 PCB。到 PCB 的唯一金属连接是通过封装引脚实现的。这迫使热量通过一种非常受限的路径流动，并会增加有效热阻。这还表明，到引脚的铜路径应尽可能发挥作用，以便充当散热器。对于直流/直流转换器而言，VIN、GND 和 SW 引脚在散热方面最为有效，应使其较宽。

当然，这些只是设计人员可用的电源封装类型的两个示例。TI 提供的许多封装类型同时具有良好的热性能和小尺寸优点。例如，符合汽车类标准的 LM63635-Q1。该器件采用 3.00mm x 3.00mm 的小型 WSON 封装，带有 DAP；可提供与大得多的封装相当的性能。

请注意，JEDEC 标准板过于强调了倒装芯片 QFN 和 HSOIC 之间的差异。在许多实际应用中，这两种封装之间的总 θ_JA 值是可以相比的。倒装芯片 QFN 与带有 DAP 的封装相比，将需要更多的 PCB 铜面积。在任何情况下，如前所述，表中给出的 θ_JA 值不会用于设计目的。

图 4-2 HSOIC 和 VQFN 封装性能比较.

图 4-3 HSOIC 封装中的典型热流.

图 4-4 VQFN 封装中的典型热流.