遗憾的是，在大功率系统中存在高压摆率的不利影响。随着更多电流流经 FET 和 VDS 电压以更快的速度进行转换，MOSFET 的固有电容耦合以及寄生 LC 谐振的影响会增加。

如图 3-1 所示，栅极信号上升沿的高频分量（更重要的是，穿过米勒区域的上升 VDS 信号）会导致电流流到另一个 FET 的本征电容器上。该信号通过固有的栅极至漏极或栅极至源极电容器耦合，因为电容器在较高频率下具有较低的阻抗。如果这些耦合信号足够高，它们可能会超过电机驱动器的绝对最大额定值，或者打开一相内的低侧和高侧 FET，从而在电流绕过电机并从 VDRAIN 到 GND 流过直接路径时导致发生击穿。

由于 CGD 耦合，MOSFET 在导通之前具有最大压摆率限制。这意味着如果压摆率太高，即使栅极直接短接至源极，MOSFET 也会导通。在考虑栅极驱动器下拉强度和栅极路径上的寄生电感时，这会在导致意外导通之前降低可能的最大压摆率。

简单地说，栅极电流越大，耦合越多，而栅极电流越小，则耦合越少。

重申一下：

• 栅极电流过大会导致损坏
• 降低电流可防止损坏
• 为系统选择适当的栅极驱动电流 (I_DRIVE) 至关重要。

既然了解了栅极电流过多产生的影响，就必须开发调整栅极电流的方法，并且必须推导出给定系统的栅极电流计算法。