在此示例中，使用 DRV835x 系列器件并将其与 CSD19536KTT 功率 MOSFET 配对，后者用在适用于三相 BLDC 电机的 54V、1.5kW、效率 > 99%、70 × 69mm² 的功率级参考设计TIDA-010056 中。

估算近似栅极电流的步骤一般为：

1. 找到 FET 部件型号和相关数据表
2. 在数据表中找到 Q_gd 值
3. 典型的 Q_gd 是可以接受的，但要始终注意 Q_gd 的最小或最大容差
4. 估计所需的 VDS 上升和下降时间。一般来说，对于许多大功率系统，将上升和下降时间保持在 100ns 至 300ns 之间是一个很好的切入点。
5. 或者，设计人员可以重新排列Equation2 以根据栅极驱动电流 (I_DRIVE) 而非 VDS 压摆率 (SR_DS) 获得公式，其中 25V/µs 至 100V/µs 作为通用输入是可接受的：

其中：

• I_DRIVE = 从栅极拉取或灌入的电流（单位为安培）
• t_RiseFall = VDS（非 VGS）的等效上升或下降时间，单位为秒
• Q_gd = MOSFET 的固有栅极至漏极电荷，单位为库仑

对于 CSD19536KTT，Q_gd = 17nC，我们可以使用通用指南将 100ns 放入Equation3 的上升和下降时间中。注意，一些设计人员想要使上升时间为下降时间的两倍。

DRV835x 系列没有将 I_DRIVE 恰好设为 170mA，但它确实具有较低的选项，即拉电流为 150mA 或 100mA，灌电流为 100mA。拉电流是指从栅极电源电压获取并推入 FET 的电流，它对应于上升时间；灌电流是指电荷从 FET 的栅极拉出并推到 FET 的源极的速率，它对应于下降时间。

如果上升和下降时间为 300ns，仍可以使用上述公式计算：

再次使用 DRV835x 系列，选择 50mA 作为拉电流，但最小灌电流为 100mA。这是用非零值替换 0Ω 栅极电阻器以获得低于最低设置的等效栅极灌电流的理想示例。如果不打算使用 0Ω 栅极电阻器，则必须切断布线并重新设计电路板以获得所需性能。

请记住，我们仅使用根据安全通用指南计算的起始栅极驱动电流。这是一个一阶公式，与实际系统中看到的不完全匹配，但目标是获得一个合理的起点。因此，我们在器件没有精确选择的情况下向下舍入，使等效上升或下降时间比计算出的值更长。设计人员应在测试后增大或减小这个数字。