乍一看，图 4-4 中的高侧漏极到低侧源极电容器似乎不言自明，并且经常与去耦电容器或大容量电容器相混淆。但是，大多数电机驱动器应用没有将低侧源极连接到 GND。相反，低侧源极通常连接到用于电流感测的分流电阻器，然后连接到 GND。

这很重要，因为去耦电容器需要稳定基准才能可靠地提供电荷。由于感测电阻布局引入的电感、流过低侧 FET 的电机电流或接地技术不良，系统中可能会出现 GND 不稳定情况。如果 GND 与开关节点一起弹动，则去耦电容器无法完成从稳定基准和低电感路径提供电荷的工作。作为参考，0.2512 元件封装尺寸（感测电阻的常见封装）会引入 1–5nH 的寄生电感。

HS 漏极到低侧源极电容器可以避免这些问题，因为它连接到 VDRAIN（假定该 VDRAIN 是稳定的），并且可以将电荷直接倾倒到节点上，而不是通过感测电阻的路径。这是 AC GND 的概念，也是 RC 缓冲器也可以连接到 HS 漏极和 LS 源极的原因。

因此：

• 这种方法可以很好地抑制低侧源极和 GND 上的负反弹。
• 选择大约 0.01µF–1µF 的值并将它们放置在尽可能靠近 FET 的位置，以确保它们正常工作
  • 具体来说，该值应足够低，以免影响电流感测波形的非寄生纹波，从而反映电机的真实行为

许多工程师低估了这种缓解技术并且没有充分利用空间，因为此时他们已经优先考虑了 RC 缓冲器和大容量电容器。如果 GND 或感测电阻产生负振铃，或低于 GND，则 HS 漏极至 LS 源极电容器可在低阻抗路径中提供电荷。显示 GND 和 LS 源极电压的波形有助于确定是否发生负振铃以及是否更新设计以将 HS 漏极到 LS 源极电容器添加到半桥。