在大多数栅极驱动器器件中，栅极驱动拉电流和灌电流（即上拉和下拉）值可在数据表中找到。在某些器件中，该值在内部是固定的，对于给定的 FET，输出电流能力远大于计算出的 IDRIVE。

添加外部串联栅极电阻以控制施加的栅极电压的压摆率并降低施加到 FET 栅极的峰值电流。这类似于 RC 滤波器：R 是栅极电阻器，C 是 MOSFET 的固有电容。为了加强控制，可以并联另一个栅极电阻器和二极管（如果设计人员想要分别控制灌电流和拉电流），如图 3-2 中所示。

MOSFET 参数、系统电压和电路板寄生参数都会影响最终的压摆率，因此选择理想栅极电阻值是一个迭代过程。适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 技术手册中介绍了此过程。

下面这个原则有助于确定用于栅极电阻器的理想电阻：电阻越小，压摆率越高，电流越大；电阻越大，压摆率越低，电流越小。