5 通过并联 MOSFET 功率级实现大功率设计

为了增加半桥电路的电流传导能力，通常通过将 MOSFET 的漏极、源极和栅极连接在一起来并联多个 MOSFET。从理论上讲，要将上述多个并联 MOSFET 视为一个元件。

实际上，没有两个 MOSFET 是完全相同的。这意味着，一个 MOSFET 最终会先导通，一个 MOSFET 会承载更多电流。尽可能减小这种差异对于系统运行至关重要。驱动并联 MOSFET 应用简介中介绍了并联 MOSFET 设计背后的理论和流程。

下面总结了一些注意事项：

• 为并联使用的 FET 的每个栅极添加一个电阻器，而不是为所有并联 FET 添加一个电阻器。失配的 MOSFET 栅极将相互振铃，它们之间没有额外的阻抗。
• 使 FET 在物理层面上非常靠近并具有相似或相同的布局
• 使栅极布线保持统一且厚度相等，并将它们拆分以非常靠近 FET 的栅极
• 将 GHx 与 SHx 配对，将 GLx 与 SLx 布线配对，这些布线会路由回栅极驱动器，因此它们的长度和宽度类似
• 源极和漏极连接应使用铜平面，而不仅仅是布线