如前所述，MOSFET 的漏极和栅极电流是向电机供电的基石。为了提供电流并打开 FET，必须在 MOSFET 的本征栅极电容器上积累电荷。此过程在 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 和了解智能栅极驱动 应用手册中进行了更详细的解释。

因此，将栅极电荷或电流的速率与 FET 漏极至源极电压上升联系起来，如理想的一阶Equation1 所示：

其中：

• SR_DS = 漏源电压的压摆率，单位为秒
• I_DRIVE = 从栅极拉取或灌入的电流（单位为安培）
• V_DS = MOSFET 漏电压和源电压之间的电压差，单位为伏特
• Q_gd = MOSFET 的固有栅极至漏极电荷，单位为库仑

根据Equation1，高 I_DRIVE 和小 Q_gd 会导致非常快的压摆率，因为 VDRAIN 在系统中通常是固定的，除非系统电源电压专门设计为可变电压。高压摆率会降低 MOSFET 中的开关损耗，因此使压摆率尽可能高似乎是有益的。但是，大多数设计人员试图使用更高的压摆率，却没有意识到使用超出设计值太多的压摆率会产生不利影响。