半桥驱动器使用两个 MOSFET 来控制通过螺线管的电流；其中一个 MOSFET 用于正向驱动螺线管，另一个用于电流再循环。

H 桥驱动器使用四个 MOSFET（或通过一个一个负载连接的两个半桥）来控制通过螺线管的电流。使用四个 MOSFET，可以实现双向电流控制。这使得 H 桥驱动器成为单线圈和闭锁或双线圈继电器的良好选择。

在图 2-4 和图 2-5 中可以看到 H 桥和半桥配置。

图 2-4 H 桥驱动和再循环电流路径

图 2-5 半桥驱动和再循环电流路径

虽然半桥只能启用慢速衰减，但半桥集成了续流二极管，这通常是一个外部元件，因此进一步减小了解决方案尺寸。此外，使用半桥还可以灵活驱动高侧或低侧负载。

H 桥驱动器可以通过使用高侧或低侧 MOSFET 再循环电流来同时实现慢速衰减和快速衰减（滑行）。图 2-6 显示了如何使用 H 桥来驱动具有高侧再循环的传统螺线管。

图 2-6 用于驱动螺线管的 H 桥配置

H 桥还可以作为一个有效的快速放电电路使用。可以通过关断 MOSFET 并允许电流经过体二极管来实现快速衰减。这使得螺线管电流的反向电压等于 VM 加上两个体二极管的正向电压。图 2-7 显示了使用 H 桥时的快速衰减电流流动。

图 2-7 H 桥快速衰减

如果需要快速衰减和改进的系统热性能，H 桥配置可能是合适的选择。