为了保护 USB 20Gbps，请遵循与每个引脚相关的参数列表：

• D+、D-、TX1+、TX1-、RX1+、RX1-、TX2+、TX2-、RX2+、RX2-
  • 工作电压：建议保护二极管的反向工作电压 (V_RWM) 大于或等于受保护系统的工作电压。对于 USB 20Gbps 数据线，工作电压典型值为 3.3V。这意味着工作电压大于或等于 3.3V。
  • 钳位电压：可能有许多系统使用 USB。这导致 ESD 二极管的钳位电压取决于 USB 连接器的下游电路。建议钳位电压低于下游元件的绝对最大额定值。
  • 电容（D+、D-）：由于 D+ 和 D- 专用于 USB 2.0 数据传输，因此信号速度可高达 480Mbps。建议使用电容小于 4pF 的 ESD 二极管。
  • 电容（TX+、TX-、RX+、RX-）：对于 USB 4 Gen 3x1，信号速度可达 20Gbps，这意味着建议使用小于 0.25pF 的超低电容 ESD 二极管。对于每通道高达 10Gbps 的双通道标准，建议使用电容小于 0.3pF 的超低电容 ESD 二极管。
  • IEC 61000-4-2 等级：IEC 61000-4-2 测试标准定义了实际的 ESD 冲击。该标准包含两项测量：接触放电和空气间隙放电。接触和空气间隙等级越高，器件能够承受的电压就越高。对于 USB 20Gbps，建议触点的 IEC 61000-4-2 最低额定值为 8kV，空气间隙的最低额定值为 15kV。
• V_BUS
  • 工作电压：对于 V_BUS，工作电压为 5V。建议使用工作电压大于或等于 5V 的 ESD 二极管。

表 8-8 列出了支持这些规格的器件。