如前几节所述，DESAT 和 OCP/SCP 会发回故障指示并触发驱动器关闭 IGBT 或 SiC MOSFET。驱动器启动 2 级关断或软关断以安全关断 IGBT 或 MOSFET，从而防止由于高瞬态电流而导致器件上出现较大的电压过冲。

两级关断 (2LTOFF) 功能可在某些故障条件下限制关断期间的晶体管电流。当触发 2LTOFF 时，功率晶体管的栅极受控以使晶体管在线性区域中运行，在此区域中，通道电流由栅极端子上的电压电平控制。通过以下方式降低功率晶体管电流：在 t2LOFF 内将栅极电压控制为中间电压或平坦电压 (V2LOFF)，然后降低栅极以关闭功率晶体管。当 2LTOFF 处于运行状态时，OUTL 会灌入电流，以便将开关管的栅极电容器放电至平坦电压。平坦电压电平和持续时间是可配置的。在保持平坦电压达到编程时间后，栅极通过软关断电流完全放电，或通过 OUTL 驱动器正常拉低。可以在配置寄存器中启用软关断电流并选择电平。

软关断 (STO) 功能是另一种保护功率晶体管不受因寄生环路电感在 VCE 上引起的电压尖峰所致的 OV 损坏的方法。STO 会减慢关断过程以限制 di/dt 速率，并限制环路电感引起的电压尖峰。在 STO 期间，OUTL 驱动强度会降低到使用 SPI 编程的阈值。STO 功能针对 SC/OC 和/或 DESAT 故障启用。

逆变器不仅可以防止开关管损坏，还可以防止向电机绕组施加高电压，这也会缩短电机本身的寿命。