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UCC5870-Q1

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适用于 IGBT/SiC 的汽车级 3.75kVrms 30A 单通道功能安全隔离式栅极驱动器

米6体育平台手机版_好二三四详情

Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5250 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Two-level turn-off, Two-level turnoff Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1000 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5250 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Two-level turn-off, Two-level turnoff Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1000 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
SSOP (DWJ) 36 131.84 mm² 12.8 x 10.3
  • 分离输出驱动器,以提供峰值为 30A 的拉电流和峰值为 30A 的灌电流
  • 栅极驱动强度动态可调
  • 具有 150ns(最大值)传播延迟和可编程最小脉冲抑制的互锁和击穿保护
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 可配置功率晶体管保护
    • 基于 DESAT 的短路保护
    • 基于分流电阻器的过流和短路保护
    • 基于 NTC 的过热保护
    • 在功率晶体管发生故障时提供可编程软关断 (STO) 和两级关断 (2LTOFF) 保护
  • 功能安全合规型
  • 集成型诊断:
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
    • IN+ 至晶体管栅极路径完整性
    • 功率晶体管阈值监测
    • 内部时钟监测
    • 故障警报 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 输出
  • 集成式 4A 有源米勒钳位或可选的米勒钳位晶体管外部驱动器
  • 高级高压钳位控制
  • 内部和外部电源欠压和过压保护
  • 有源输出下拉特性,在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 提供内核温度检测和过热保护
  • 在 V CM = 1000V 时,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100 kV/µs
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 用于功率晶体管温度、电压、电流监测的集成式 10 位 ADC
  • 安全相关认证:
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3750V RMS 隔离(计划)
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 0:–40°C 至 125°C 环境工作温度
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4b
  • 分离输出驱动器,以提供峰值为 30A 的拉电流和峰值为 30A 的灌电流
  • 栅极驱动强度动态可调
  • 具有 150ns(最大值)传播延迟和可编程最小脉冲抑制的互锁和击穿保护
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 可配置功率晶体管保护
    • 基于 DESAT 的短路保护
    • 基于分流电阻器的过流和短路保护
    • 基于 NTC 的过热保护
    • 在功率晶体管发生故障时提供可编程软关断 (STO) 和两级关断 (2LTOFF) 保护
  • 功能安全合规型
  • 集成型诊断:
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
    • IN+ 至晶体管栅极路径完整性
    • 功率晶体管阈值监测
    • 内部时钟监测
    • 故障警报 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 输出
  • 集成式 4A 有源米勒钳位或可选的米勒钳位晶体管外部驱动器
  • 高级高压钳位控制
  • 内部和外部电源欠压和过压保护
  • 有源输出下拉特性,在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 提供内核温度检测和过热保护
  • 在 V CM = 1000V 时,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100 kV/µs
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 用于功率晶体管温度、电压、电流监测的集成式 10 位 ADC
  • 安全相关认证:
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3750V RMS 隔离(计划)
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 0:–40°C 至 125°C 环境工作温度
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4b

UCC5870-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式单通道栅极驱动器,在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护,例如基于分流电阻器的过流保护、基于 NTC 的过热保护以及 DESAT 检测,还在这些故障期间提供可选的软关断或两级关断。为了进一步缩小应用尺寸, UCC5870-Q1 集成了在开关期间可用的 4A 有源米勒钳位,以及在驱动器未通电时可用的有源栅极下拉电阻。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达六个模拟输入以及栅极驱动器温度,从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL-D 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 接口进行配置,因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

UCC5870-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式单通道栅极驱动器,在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护,例如基于分流电阻器的过流保护、基于 NTC 的过热保护以及 DESAT 检测,还在这些故障期间提供可选的软关断或两级关断。为了进一步缩小应用尺寸, UCC5870-Q1 集成了在开关期间可用的 4A 有源米勒钳位,以及在驱动器未通电时可用的有源栅极下拉电阻。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达六个模拟输入以及栅极驱动器温度,从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL-D 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 接口进行配置,因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

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更多文献资料 Protecting Power Devices in Electric Vehicle Applications 2021年 3月 23日
证书 UCC5870QEVM-045 EU Declaration of Conformity (DoC) 2021年 2月 22日
EVM 用户指南 UCC5870-Q1 Evaluation Module User's Guide 2019年 10月 1日

设计和开发

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评估板

UCC5870QEVM-045 — UCC5870-Q1 符合功能安全标准的 15A 隔离式 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器三相 EVM

UCC5870-Q1 三相评估模块 (EVM) 适用于评估 TI 这款具有高级保护功能的 15A 隔离式单通道栅极驱动器。此 EVM 专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。这款三相 EVM 可用于调试软件以适应驱动器的串行外设接口 (SPI),还可评估驱动器先进的诊断、保护和监控功能。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估模块 (EVM) 用 GUI

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隔离式栅极驱动器
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仿真模型

UCC5870-Q1 SIMPLIS Model (Rev. A)

SLUM763A.ZIP (250 KB) - SIMPLIS Model
计算工具

SLURAZ3 UCC5870-Q1 XL Calculator Tool

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隔离式栅极驱动器
UCC5870-Q1 适用于 IGBT/SiC 的汽车级 3.75kVrms 30A 单通道功能安全隔离式栅极驱动器
模拟工具

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测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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