ZHCACO1 may 2023 LM53602 , LM53602-Q1 , LM53603-Q1 , LM63625-Q1 , LM63635-Q1 , LMR14020-Q1 , LMR14030-Q1
有多种方法可以减少振铃,使 MOSFET 开关和控制器引脚保持在安全工作区域内,并减少因此造成的 EMI 噪声,例如使用自举电阻器、高边栅极电阻器或 RC 缓冲器。然而,第一种方法是优化电路设计、元件选择和 PCB 布局,以更大限度地减小关键路径的寄生电感和环路面积。TI 提供了许多有关如何优化电路和布局设计以降低 EMI 的支持文档。
如果降压转换器电路的 EMI 水平超过要求水平,并且无法改善布局或滤波,则通过自举电阻降低降压转换器开关速度有助于降低 EMI 水平。