摘要

随着电源效率变得越来越重要，需要更快的开关速度来降低效率损失。但是，随着开关速度的提高，必须考虑一些权衡因素，例如显著的过冲、开关节点上的振铃电压和电磁干扰 (EMI)。振铃的幅度是高边 NFET 的开关速度以及布局和器件封装中的寄生电感的函数。有多种方法可以减少振铃，使 MOSFET 开关保持在安全工作区域内，并减少因此造成的 EMI 噪声，例如使用自举电阻器、高边栅极电阻器或 RC 缓冲器。

本应用手册重点介绍了使用自举电阻器控制开关节点振铃和优化 EMI 时的设计注意事项。