TIDA-020030 参考设计具有两个专为高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计的 UCC21732-Q1 电隔离单通道栅极驱动器，并提供高级保护功能。UCC21732-Q1 栅极驱动器具有高达 ±10A 的驱动强度，支持高达 1.5kV_RMS 的工作电压和 12.8kV_PK 的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过 40 年。UCC21732-Q1 栅极驱动器用于驱动 IGBT 模块的高侧和低侧，但该测试仅使用高侧驱动器。