ZHCACR9 june 2023 LM74900-Q1 , LM74910-Q1
配置为共漏极拓扑以提供反向电池保护和过压保护功能的 LM749x0-Q1 的典型应用电路如图 2-1 所示
LM749x0-Q1 DGATE 驱动理想二极管 FET Q1,而 HGATE 驱动负载断开 FET Q2。理想二极管 FET 可针对系统事件提供保护,例如输入电池反接、汽车瞬变期间的反向电流阻断(如 ISO7637-2 脉冲 1)、输入短路中断事件 (LV124 E-10) 和电池线路上的交流纹波(ISO16750-2、LV124 E-06)。
负载断开 FET Q2 在输入欠压、过压以及输出短路和过载情况下提供电源路径切断功能。LM749x0-Q1 提供完全可调的欠压、过压、过流和短路阈值,以确保器件在出现各种汽车 EMC 瞬变时的稳健性能。有关设计过程的更多详细信息,请参阅 LM749x0-Q1 器件数据表。
图 2-2 至图 2-5 显示了将 LM749x0-Q1 用作背对背 FET 驱动器以实现输入 PowerPath 保护的一些关键性能图。