计算工具
LM749X0-CALC — Design calculator for LM74900-Q1 and LM74910-Q1 devices
The design calculator allows user to size the external peripheral components while designing with LM74900-Q1 and LM74910-Q1 Devices
LM74900-Q1
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 功能安全型
- 3V 至 65V 输入范围
- 反向输入保护低至 –65V
- 在共漏极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
- 低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速关断响应 (0.5µs)
- 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
- 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
- 可调过流和短路保护
- 精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)
- 可调节过压和欠压保护
- 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）
- 睡眠模式，电流为 6µA（EN=高电平， SLEEP=低电平）
- 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
- 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。
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技术文档
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| 证书 | LM74900Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2022年 11月 1日 |
设计和开发
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评估板
LM74900Q1EVM — LM74900-Q1 理想二极管控制器评估模块
LM74900-Q1 评估模块可评估 LM74900-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示了 LM74900-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET，以仿真具有电源路径开/关控制功能以及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。
模拟工具
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参考设计
PMP41085 — Automotive 100W infotainment display module reference design with functional safety capabilities<
This reference design showcases the 100W automotive infotainment display module power reference design with cold crank, load dump and FuSa Capabilities.
The LM74900-Q1 is the first stage of the design playing a role of protection for negative input voltage, undervoltage, locked output, and (...)
测试报告: PDF
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN (RGE) | 24 | Ultra Librarian |
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