4 方法

为了证明某些并联基准相对于其他并联基准的性能改进，TL431、TLVH432、ATL431、TL431LI 和 ATL431LI 都在具有 SSR 的反激式 EVM（评估模块）UCC28780EVM-021 上使用各自所需的偏置电流进行了单独测试。此反激式 EVM 使用图 2-4 中所示的偏置拓扑。本实验将一个电子负载连接到反激式输出，以在空载条件（待机模式）、20W 负载和 40W 负载下测试每个并联基准。此 EVM 由隔离式 120V 60Hz 电源通过隔离变压器和自耦变压器供电。偏置电阻是按照节 2.2中的步骤确定的，其中该电阻设置了 40W 负载下的 I_bias = I_KA(min)。在 EVM 上焊接了几个测试点，以正确分析结果，从而确定光耦合器二极管反馈电流 I_{FB(secondary)}、偏置电流 I_bias 和输出电压 V_out。此测试设置如图 4-1 所示，其中展示了正在测试的实际 EVM，而图 4-2 展示了完整的反馈网络，包括测试点和补偿电容器。

图 4-1 EVM 测试板设置

图 4-2 控制网络探头连接