ZHCAD91 October 2023 ATL431 , ATL431LI , TL431 , TL431LI , TLVH432
用于执行此实验的 UCC28780EVM-021 EVM 最初具有一个带 34kΩ 偏置电阻的 ATL431 分流基准。安装测试探头后,在 40W 负载下测得的平均阴极电压 VKA 为 16.9V。在将新的并联基准焊接到电路板上进行测试时,必须确定新的偏置电流。方程式 3 用于计算所需的新偏置电阻 Rbias,为简单起见,将 16.9V 假定为阴极电压 VKA。IKA(min) 是从新器件的数据表中提取的,Vout 是使用方程式 1 求出的。由于需要使用反馈电流来设置该输出电压,阴极电压 VKA 会根据编程的输出电压进行变化。TLVH432 的内部基准电压较低,为 1.24V,这意味着已编程的输出电压要低得多,因此 R2 降至 10kΩ,从而将已编程的输出电压更改为 19.855V。在 40W 负载下测得的 TLVH432 阴极电压 VKA 为 18.27V,然后在方程式 3 中用其计算偏置电阻 Rbias。为 40W 负载的每个并联基准提供的偏置电阻和偏置电流如表 4-1 所示。
组件 | Rbias | Ibias(40W 负载) | IKA(min) | Vout(预期) |
---|---|---|---|---|
TL431 | 1.5kΩ | 0.99mA | 1mA | 18.59V |
TLVH432 | 14kΩ | 105.9µA | 100µA | 9.10V |
ATL431 | 34kΩ | 44µA | 35µA | 18.33V |
TL431LI | 1.5kΩ | 0.99mA | 1mA | 18.32V |
ATL431LI | 19.1kΩ | 77.96µA | 80µA | 8.35V |
以下示波器图像展示了三种负载条件下每个并联基准的稳态性能。
我们测量了 Vout,将其作为所展示的各个图的预期编程值,V1 的测量值略低于 Vout。VAnode 和 VKA 在不同的负载条件下发生变化,以修改通过光耦合器二极管的次级侧反馈电流 IFB(secondary)。VKA 的这一变化也降低了在较大负载下提供给并联基准的偏置电流 Ibias,这就是在满载条件下将 Ibias 确定为 IKA(min) 的原因所在。