在双向直流/直流应用中，此设计中的一些考虑因素有助于减小自举二极管上的应力，以及减轻对自举二极管可能造成的损坏。
首先，适当确定自举电容器的容值对于正确驱动功率 MOSFET 而言非常重要，此外，也会使 HB-HS 偏置以极快的速度启动。在这些应用中，我们建议不要使自举电容过大。
还有其他设计注意事项可以解决如下所示的栅极驱动器和自举启动问题：
- 在未主动供电的相位上包含低频 LO 脉冲。这可确保 HB-HS 偏置在启用相位之前完全预充电。
- 确保当启用一个相位时，第一个初始 LO 脉冲是一个长脉冲，足以在自举二极管正向电流变为零或接近于零的情况下为自举电容器充电。在正常 HI 和 LI 脉宽期间随机启用相位会导致 LI 初始脉宽短，从而导致高正向电流在自举二极管中流动，然后当 HS 变为高电平时，反向恢复电流会更高。
- 添加一个与驱动器内部自举二极管并联的外部肖特基二极管。使用一个小型封装二极管以允许靠近具有低 VF 和低 RDYN 的 IC VDD 和 HB 引脚放置。