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UCC27201A

正在供货

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 3A、120V 半桥栅极驱动器

米6体育平台手机版_好二三四详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 140 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -15 Features Negative voltage handling Driver configuration Noninverting
Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 140 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -15 Features Negative voltage handling Driver configuration Noninverting
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRC) 9 9 mm² 3 x 3 VSON (DRM) 8 16 mm² 4 x 4 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • HS 引脚具备 -18V 的负电压处理能力
  • 最大启动电压:120V
  • 最大 VDD 电压:20V
  • 片载0.65V VF, 0.6Ω RD 自举二极管
  • 工作频率高于 1MHz
  • 20ns 传播延迟时间
  • 3A 吸收,3A 供电输出电流
  • 8ns 上升 / 7ns 下降时间 (采用 1000pF 负载时)
  • 1ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
  • 提供 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D)、 PowerPADSOIC-8 (DDA)、SON-8 (DRM)、SON-9 (DRC) 和 SON-10 (DPR) 五种封装
  • –40°C 至 140°C 的额定温度范围

应用

  • 针对电信、数据通信和商业的电源
  • 半桥 应用 和全桥转换器
  • 隔离式总线架构
  • 两开关正激式转换器
  • 有源箝位正激式转换器
  • 高电压同步降压转换器
  • D 类音频放大器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • HS 引脚具备 -18V 的负电压处理能力
  • 最大启动电压:120V
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  • 片载0.65V VF, 0.6Ω RD 自举二极管
  • 工作频率高于 1MHz
  • 20ns 传播延迟时间
  • 3A 吸收,3A 供电输出电流
  • 8ns 上升 / 7ns 下降时间 (采用 1000pF 负载时)
  • 1ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
  • 提供 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D)、 PowerPADSOIC-8 (DDA)、SON-8 (DRM)、SON-9 (DRC) 和 SON-10 (DPR) 五种封装
  • –40°C 至 140°C 的额定温度范围

应用

  • 针对电信、数据通信和商业的电源
  • 半桥 应用 和全桥转换器
  • 隔离式总线架构
  • 两开关正激式转换器
  • 有源箝位正激式转换器
  • 高电压同步降压转换器
  • D 类音频放大器

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UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC2720xA 基于常见的 UCC27200/1 驱动器,但提供了一些增强功能。UCC2720xA 具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压,这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。

由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能,如果驱动电压低于规定的门限,则强制输出为低电平。

UCC27200A 提供了两种版本。UCC27200A 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值,而 UCC27201A 则具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 的阈值。

两款器件均提供 8 引脚 SOIC (D)、PowerPad SOIC-8 (DDA)、SON-8 (DRM)、9 引脚 SON-9 (DRC) 和 10 引脚 SON-10 (DPR) 五种封装。

UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC2720xA 基于常见的 UCC27200/1 驱动器,但提供了一些增强功能。UCC2720xA 具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压,这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。

由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能,如果驱动电压低于规定的门限,则强制输出为低电平。

UCC27200A 提供了两种版本。UCC27200A 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值,而 UCC27201A 则具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 的阈值。

两款器件均提供 8 引脚 SOIC (D)、PowerPad SOIC-8 (DDA)、SON-8 (DRM)、9 引脚 SON-9 (DRC) 和 10 引脚 SON-10 (DPR) 五种封装。

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设计和开发

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评估板

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UCC27201AEVM-328 适用于评估 UCC27201ADPR 和 UCC27212DPR(两者均为可支持高峰值拉/灌电流的半桥栅极驱动器)。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可轻松地配置为各种功率级拓扑(例如同步降压转换器),且布局效果可进行测试。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

UCC27201 and UCC27201A PSpice Transient Model (Rev. B)

SLUM096B.ZIP (74 KB) - PSpice Model
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UCC27201 and UCC27201A TINA-TI Transient Reference Design (Rev. A)

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SLUM113A.ZIP (30 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

UCC27201 and UCC27201A Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM502.ZIP (4 KB) - PSpice Model
计算工具

SLURB12 UCC272xx Schematic Review Template

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半桥驱动器
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PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

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参考设计

TIDA-00653 — 适用于电池充电应用的非隔离式双向转换器参考设计

TIDA-00653 是非隔离式 48 至 12V 双向转换器参考设计,适用于 UCD3138 数字电源控制器支持的 48V 电池应用。该设计非常灵活,能够以 ZVS 转换模式拓扑工作以优化轻负载效率,也能够以硬开关拓扑工作以实现简单的系统设计。该双向转换器针对轻负载采用自动切相和偏移技术,并且采用自适应死区优化,以实现大于 96% 的复合效率增益。由于效率得到极大的提高,因此热损耗得以降低,在汽车应用中无需使用空气或液体冷却。此外,使用 UCD3138 高控制频率控制器和基于硬件的状态机,可以实现小型化,并且可以释放系统 CPU 以用于电池管理等其他功能。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
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SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSON (DRC) 9 Ultra Librarian
VSON (DRM) 8 Ultra Librarian
WSON (DPR) 10 Ultra Librarian

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  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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