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UCC27282-Q1

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具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车级 3A、120V 半桥驱动器

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 5.5 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 3.5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features Enable, Interlock TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual inputs
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HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRC) 10 9 mm² 3 x 3
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 温度等级 1（Tj = –40°C 至 150°C）
    • HBM ESD 分类等级 1B
    • CDM ESD 分类等级 C3
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 5V 典型欠压锁定
  • 输入互锁
  • 在 DRC 封装中启用/禁用功能
  • 16ns 典型传播延迟
  • 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns
  • 1ns 典型延迟匹配
  • 输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5 V)
  • HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (–14 V)
  • ±3A 峰值输出电流
  • 绝对最大启动电压为 120V
  • 禁用时消耗的电流很低 (7µA)
  • 集成式自举二极管
  • 提供功能安全
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 温度等级 1（Tj = –40°C 至 150°C）
    • HBM ESD 分类等级 1B
    • CDM ESD 分类等级 C3
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 5V 典型欠压锁定
  • 输入互锁
  • 在 DRC 封装中启用/禁用功能
  • 16ns 典型传播延迟
  • 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns
  • 1ns 典型延迟匹配
  • 输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5 V)
  • HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (–14 V)
  • ±3A 峰值输出电流
  • 绝对最大启动电压为 120V
  • 禁用时消耗的电流很低 (7µA)
  • 集成式自举二极管
  • 提供功能安全

UCC27282 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27282 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的稳健性和系统可靠性。启用和禁用功能通过降低驱动器的功耗并响应系统内的故障事件，提供额外的系统灵活性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。UCC27282 -Q1 采用小型封装，因此可支持高密度设计。

UCC27282 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27282 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的稳健性和系统可靠性。启用和禁用功能通过降低驱动器的功耗并响应系统内的故障事件，提供额外的系统灵活性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。UCC27282 -Q1 采用小型封装，因此可支持高密度设计。
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UCC27282EVM-335 — UCC27282 120V、3A、5V UVLO 高侧低侧栅极驱动器评估模块

UCC27282EVM-335 适用于评估 UCC27282DRC，后者是一种具备高峰值拉电流和灌电流能力的 120V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
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UCC27282 PSpice Transient Model

SNVMBN3.ZIP (32 KB) - PSpice Model
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UCC27200 — 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27200-Q1 — 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27200A — 具有 8V UVLO、负电压处理能力和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27201 — 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27201A — 具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27201A-DIE — 120V 升压、3A 峰值电流、高频、高侧/低侧驱动器 UCC27201A-Q1 — 具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27210 — 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27211 — 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27211A — 具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27211A-Q1 — 具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27212 — 具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27212A-Q1 — 具有 5V UVLO 的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27282 — 具有 5V UVLO、互锁和使能功能的 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27282-Q1 — 具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车级 3A、120V 半桥驱动器 UCC27284 — 具有 5V UVLO 和使能端的 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27284-Q1 — 具有 5V UVLO 的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27288 — 具有 8V UVLO 且无内部自举二极管的 2.5A 至 3.5A 120V 半桥驱动器 UCC27289 — 具有 8V UVLO 和使能功能的 2.5A 至 3.5A、120V 半桥栅极驱动器
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