5 引脚配置和功能

图 5-1 DWK 封装，14 引脚 SOIC（顶视图）

表 5-1 引脚功能

引脚		类型	说明
名称	编号	类型	说明
DT	6	I	DT 引脚配置：将 DT 连接到 VCCI 可禁用 DT 功能并允许输出重叠。在 DT 和 GND 之间放置一个电阻器 (R_DT) 可根据以下公式调整死区时间：DT (ns) = 10 × R_DT (kΩ)。TI 建议靠近 DT 引脚放置一个 2.2 nF 或以上的陶瓷电容器来旁路此引脚，从而实现更佳的抗噪性能。
EN	5	I	设置为高电平时会同时启用两个驱动器输出，而设置为低电平时则会禁用输出。如果不使用该引脚，则建议将其连接至 VCCI，以实现更好的抗噪性能。连接到远距离微控制器时，可在靠近 EN 引脚处放置约 1nF 的低 ESR/ESL 电容器进行旁路。
GND	4	P	初级侧接地参考。初级侧的所有信号都以该接地为基准。
INA	1	I	A 通道的输入信号。INA 输入具有兼容 TTL/CMOS 的输入阈值。该引脚在保持开路时在内部被拉至低电平。如果不使用该引脚，则建议将其接地，以实现更好的抗噪性能。
INB	2	I	B 通道的输入信号。INB 输入具有兼容 TTL/CMOS 的输入阈值。该引脚在保持开路时在内部被拉至低电平。如果不使用该引脚，则建议将其接地，以实现更好的抗噪性能。
NC	7	–	无内部连接。此引脚可以保持悬空、连接至 VCCI 或连接至 GND。
OUTA	15	O	驱动器 A 的输出。连接到 A 通道 FET 或 IGBT 的栅极。
OUTB	10	O	驱动器 B 的输出。连接到 B 通道 FET 或 IGBT 的栅极。
VCCI	3	P	初级侧电源电压。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦（连接至 GND）。
VCCI	8	P	初级侧电源电压。此引脚在内部短接至引脚 3。
VDDA	16	P	驱动器 A 的次级侧电源。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦（连接至 VSSA）。
VDDB	11	P	驱动器 B 的次级侧电源。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦（连接至 VSSB）。
VSSA	14	P	次级侧驱动器 A 接地。次级侧 A 通道的接地参考。
VSSB	9	P	次级侧驱动器 B 接地。次级侧 B 通道的接地参考。