UCC21530
- 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
- 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
- 驱动器通道之间的间距为 3.3mm
- 开关参数：
- 19ns 典型传播延迟
- 10ns 最小脉冲宽度
- 5ns 最大延迟匹配
- 6ns 最大脉宽失真
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
- 隔离层寿命 > 40 年
- 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 3V 至 18V 输入 VCCI 范围
- 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
- 可编程的重叠和死区时间
- 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
- 工作温度范围：–40°C 至 +125°C
- 安全相关认证：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
- 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
- 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。
输入侧通过 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。
该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。
此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 9 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | 具有 3.3mm 通道到通道间距的 UCC21530 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2022年 7月 28日 |
| 证书 | VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) | 2024年 2月 29日 | ||||
| 应用手册 | 栅极驱动器电路中窄脉冲宽度的影响 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2024年 1月 26日 | |
| 证书 | UCC215xx CQC Certificate of Product Certification | 2023年 8月 17日 | ||||
| 证书 | UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. C) | 2022年 12月 2日 | ||||
| 应用简报 | 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2022年 11月 14日 | |
| EVM 用户指南 | 使用 UCC21520EVM-286、UCC20520EVM-286、 UCC21521CEVM-286 和 UCC21530EVM-286 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2022年 10月 14日 | |
| 证书 | CSA Product Certificate (Rev. A) | 2019年 8月 15日 | ||||
| 技术文章 | Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations | PDF | HTML | 2019年 8月 6日 |
设计和开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
评估板
UCC21530EVM-286 — UCC21530 隔离式双通道驱动器评估模块
UCC21530EVM-286 适用于评估 UCC21530DWK，后者是一种可实现 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO、使能（高电平有效）功能和 3.3mm 通道间爬电间隙的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作在电源系统中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计。
模拟工具
PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®
PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源米6体育平台手机版_好二三四系列以及精选的模拟行为模型。
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短米6体育平台手机版_好二三四上市时间并降低开发成本。
在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短米6体育平台手机版_好二三四上市时间并降低开发成本。
在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
参考设计
TIDA-010054 — 适用于 3 级电动汽车充电站的双向双有源电桥参考设计
该参考设计概述了单相双有源电桥 (DAB) 直流/直流转换器的实现。DAB 拓扑具有软开关换向、器件数量减少和效率高等优势。该设计在功率密度、成本、重量、电隔离、高电压转换比和可靠性等关键要素方面大有裨益，是电动汽车充电站和能量存储应用的理想之选。DAB 中的模块化和对称结构能堆叠多个转换器，实现高功率吞吐量和双向运行模式，从而支持电池充电和放电应用。
参考设计
TIDA-00366 — 具有电流、电压和温度保护的增强型隔离式三相逆变器参考设计
此参考设计提供了额定功率最高 10kW 的三相逆变器，该逆变器采用增强型隔离式栅极驱动器 UCC21530、增强型隔离式放大器 AMC1301 和 AMC1311 以及 MCU TMS320F28027 设计而成。通过配合使用 AMC1301 与 MCU 的内部 ADC 来测量电机电流，以及为 IGBT 栅极驱动器使用自举电源，可以实现更低的系统成本。该逆变器根据设计具有针对过载、短路、接地故障、直流总线欠压/过压和 IGBT 模块过热的保护功能。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DWK) | 14 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐米6体育平台手机版_好二三四可能包含与 TI 此米6体育平台手机版_好二三四相关的参数、评估模块或参考设计。