9 Revision History
Changes from Revision J (July 2022) to Revision K (January 2024)
- 更新了整个数据表中的 WEBENCH® 链接。向提到的 PowerPAD™ 封装添加了“集成电路”。将 MOSFET 电阻从 110mΩ 更改为 100mΩ。将 I
Q
从 18μA 更改为 15μAGo
- 将引脚配置图标题更改为“带有散热焊盘的 DDA 封装 8 引脚 SOIC（顶视图）”，并将标题重新定位至正确的位置。将“PowerPAD”更改为“DAP”Go
- 将“绝对最大额定值”表更新为新格式，其中不包括特定参数名称，但包括最小值和最大值列。在表头中标出了 TJ。使用了引脚名称而不是信号名称。BOOT 和 PH 电压现在标记为输出电压。更新了脚注并删除了注释 2Go
- 将 BOOT 至 PH 绝对最大值从 10V 更改为 6VGo
- 将 PH 至 GND（瞬态 < 10ns）绝对最大值从 -4V 更改为 -1.2VGo
- 将 CDM ESD 电压从 ±1500V 更改为 ±750VGo
- 将建议的工作“VI”更改为“输入电压”Go
- 更新了热性能信息脚注以匹配当前 TI 标准，其中包括 JEDEC 标准信息。将定制电路板信息更改为 EVM RθJA 信息Go
- 将 RθJC(top) 从 46.4 更改为 46，将 RθJB 从 20.8 更改为 15，将 ψJT 从 4.9 更改为 5.2，将 ψJB 从 20.7 更改为 15.3，并将 RθJC(bot) 从 0.8 更改为 6Go
- 添加了典型规格 EC 表头的条件，添加了参数名称，并在参数描述中使用了引脚名称。添加了脚注Go
- 将 VFB 的测试条件从“IO = 0A 至 3A”更改为“TJ =–40°C 至 125°C”，将 rDS(ON) 更改为 RDSON(HS)，并将 RDSON(HS) 的测试条件从“VIN = 5.5V”更改为“VIN = 5.5V，VBOOT-SW = 4.0V”。Go
- 将 IQ 的名称在 ENA 为低电平时更改为 ISD(VIN)，在芯片处于激活状态时更改为 IQ(VIN)
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- 添加了 DMAX 的测试条件“fSW = 500kHz”，并添加了第二个 RDSON(HS) 规格的测试条件“VIN = 12V，VBOOT-SW = 4.5V”Go
- 将 IQ(VIN) 典型值从 3mA 更改为 2mA，将 ISD(VIN) 典型值从 18µA 更改为 15µA，将 VINUVLO(H) 从 330mV 更改为 0.35V，并将 VEN(H) 从 450mV 更改为 325mVGo
- 将 VIN = 5V 时的 RDS(ON) 典型值从 150mΩ 更改为 125mΩ，并将 VIN = 12V 时的典型值从 110mΩ 更改为 100mΩGo
- 将概述 中的“110mΩ 高侧 MOSFET”更改为“100mΩ 高侧 MOSFET”，并将 18µA 更改为 15µAGo
- 将使能 (ENA) 和内部慢启动 部分中的关断电流从 18μA 更改为 15μAGo
- 将 UVLO 描述中的 UVLO 迟滞从 330mV 更改为 350mVGo
- 将图 7-1中 TPS5430DDA 封装图的“PwPd”更改为“DAP”，并将电路说明中的“裸露的 PowerPAD™”更改为“DAP”Go
- 将图 7-9 中 TPS5430DDA 封装图上的“PwPd”更改为“DAP”Go
- 将图 7-10 中 TPS5431DDA 封装图上的“PwPd”更改为“DAP”Go
- 将图 7-11中 TPS5430DDA 封装图上的“PwPd”更改为“DAP”Go
- 将布局指南 中的“PowerPAD”更改为“DAP”
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Changes from Revision I (April 2017) to Revision J (July 2022)
- 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式。Go
Changes from Revision H (April 2016) to Revision I (March 2017)