节 2.3.5.1和节 2.3.5.2介绍了栅极驱动器依靠隔离式偏置电压来驱动栅极跨越高压隔离栅。在此架构中,每相有四个驱动器,但只需要三个隔离域(如节 2.3.1.1所述)。这些域:
- 对于高 SiC MOSFET 开关,为 +15 V 和 -4 V
- 对于低 SiC MOSFET 开关,为 +15 V 和 -4 V
- 对于中性桥臂中的两个 SiC MOSFET,为 +15V 和 –4V
节 2.3.4.2中使用的同样架构可单独生成域。不过,为了提高设计的功率密度,使用了具有集成电源的 UCC1424。通过使用以下 IC,该架构降低了系统复杂性、成本和尺寸。