TPSI2140Q1EVM 是包含多个测试点和跳线的四铜层板，用于全面评估器件的功能。初级侧由四个差分驱动器组成，为次级侧的每个内部 MOSFET 提供电力和使能逻辑信息。次级侧的每个 MOSFET 都有专用的全桥整流器来形成本地电源。当使能引脚变为高电平时，振荡器启动并且驱动器跨隔离栅输送电力和逻辑高电平。TPSI2140-Q1 具有雪崩性能稳健的 MOSFET 并且采用的 11 引脚 DWQ 封装上的加宽引脚具有散热优势，使其可以通过高压（HiPot）筛选，并且无需任何外部保护元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。

图 1-1 TPSI2140-Q1 功能方框图