ZHCUBA5 September 2023 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21759-Q1
如果需要更高的驱动强度,可以安装板载增强器级。若要安装增强器级,对于低侧栅极驱动器,请拆下 R47 和 R51,为 Q1 组装 PHPT60410NYX,为 Q2 组装 PHPT60410PYX。对于高侧栅极驱动器,请拆下 R81 和 R85,为 Q4 组装 PHPT60410NYX,为 Q5 组装 PHPT60410PYX。也可以使用具有相同封装的其他 BJT。
增强器级可能会阻碍软关断功能。要在启用增强器级后实现软关断,可以使用阻尼器电路、低侧驱动器的 R56/C46 组合和高侧驱动器的 R89/C61 组合。如果没有阻尼器电路,OUTL 引脚将尝试从增强器级的基极灌入软关断电流。增强器级会放大此电流,导致 IGBT/SiC MOSFET 的关断电流增大,并产生更高的 Vds 过冲。阻尼器电路中的电容器可以在软关断事件期间向 OUTL 引脚提供电流,这有助于解决此问题,从而使从增强器级的基极拉出的电流更低,SiC MOSFET/IGBT 的关断电流更低。