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UCC21710

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适用于 IGBT/SiC MOSFET、具有 OC 检测和内部钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

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UCC21710

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 800 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 800 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 驱动高达 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 4A 内部有源米勒钳位
  • 故障状况下 400 mA 软关断
  • 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
    • 高电压直流链路或相电压
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40 ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
  • 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划
  • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 驱动高达 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
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  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
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    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
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  • 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划

UCC21710 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先进的集成保护特性、出色的动态性能和稳健性。 UCC21710 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏斜 ，共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21710 具有高级保护功能，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压感测，从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。

UCC21710 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先进的集成保护特性、出色的动态性能和稳健性。 UCC21710 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏斜 ，共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21710 具有高级保护功能，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压感测，从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。
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设计和开发

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评估板

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用户指南: PDF
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用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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仿真模型

UCC21710 PSpice Transient Model

SLUM679.ZIP (89 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC21710 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM716.ZIP (6 KB) - PSpice Model
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设计工具

SLURAZ2 — UCC217xxEVM Design Files

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参考设计

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这一经过验证的参考设计概述了如何实现基于 SiC 的三级三相直流/交流 T 型逆变器级。50KHz 的较高开关频率减小了滤波器设计的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通过使用可降低开关损耗的 SiC MOSFET，可确保实现高达 1000V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗，从而达到 99% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级逆变器。该系统由单个 C2000 微控制器 (MCU) TMS320F28379D 进行控制，可在所有运行模式下为所有电源电子开关器件生成 PWM 波形。
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PMP23223 — 具有辅助电源的智能隔离式栅极驱动器参考设计

此参考设计展示了 UCC21732 栅极驱动器与 UCC14xxx 系列辅助电源的组合。此设计可用于驱动各种功率管，包括直接连接到 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 模块。此参考设计可用作高侧或低侧驱动器，也可使用容性模拟负载进行测试。

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UCC14xxx-Q1 信息：

  • UCC14240-Q1
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  • (...)
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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