ZHCUBA5 September 2023 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21759-Q1
VDS 电压检测阈值可通过本常见问题解答中提到的以下公式计算得出:
采用 9V 内部 DESAT 检测阈值,两个 STTH122A 二极管(每个二极管的正向电压为 0.6V)、475Ω 限流电阻、具有 2.7V 齐纳电压的齐纳二极管以及 500μA 内部充电电流,Vds DESAT 检测阈值的计算结果为 4.86V。如果需要另一个 Vds 电压检测阈值,使用此 UCC217xx 计算器中的“DESAT calculator”选项卡计算不同的参数如何产生不同的电压检测阈值。
在该 EVM 中,实施了此常见问题解答中提到的方法,以便在发生短路事件时增大 DESAT 充电电流。增大 DESAT 充电电流可以缩短电容器的消隐时间,并为 SiC MOSFET 提供更好的保护。此电路的消隐时间可通过同一常见问题解答中提到的公式计算得出,计算结果为 125ns。此消隐时间计算公式对于 VDD = 15V 有效;如果使用另一个 VDD 值,则消隐时间会有所不同。请注意,上述 UCC217xx 计算器中的 tBLK 计算结果并不准确,因为它未考虑额外的充电电流。