ZHCUC64A August   2024  – November 2024 DRV8162 , INA241A , ISOM8710

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 参考设计概述
    2. 1.2 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 硬件设计
        1. 2.2.1.1 功率级栅极驱动器
          1. 2.2.1.1.1 栅极驱动器
          2. 2.2.1.1.2 保护特性
          3. 2.2.1.1.3 VGVDD 定义
          4. 2.2.1.1.4 配置 (Strap) 功能
        2. 2.2.1.2 功率级 FET
          1. 2.2.1.2.1 VGS 与 RDS(ON) 间的关系
        3. 2.2.1.3 相电流和电压检测
          1. 2.2.1.3.1 相电流
          2. 2.2.1.3.2 相电流 - 偏置电压基准
          3. 2.2.1.3.3 电压
        4. 2.2.1.4 主机处理器接口
        5. 2.2.1.5 栅极驱动器关断路径
        6. 2.2.1.6 系统诊断测量
          1. 2.2.1.6.1 温度测量
        7. 2.2.1.7 系统电源
          1. 2.2.1.7.1 12V 电源轨
          2. 2.2.1.7.2 3.3V 电源轨
      2. 2.2.2 软件设计
    3. 2.3 主要米6体育平台手机版_好二三四
      1. 2.3.1 DRV8162L
      2. 2.3.2 INA241A
      3. 2.3.3 LMR38010
      4. 2.3.4 TMP6131
      5. 2.3.5 ISOM8710
  9. 3硬件、软件测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
      1. 3.1.1 PCB 概述
      2. 3.1.2 硬件配置
        1. 3.1.2.1 先决条件
        2. 3.1.2.2 默认电阻器和跳线配置
        3. 3.1.2.3 连接器
          1. 3.1.2.3.1 主机处理器接口
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
      1. 3.3.1 电源管理
        1. 3.3.1.1 上电
        2. 3.3.1.2 断电
      2. 3.3.2 栅极电压和相电压
        1. 3.3.2.1 20VDC
        2. 3.3.2.2 48VDC
        3. 3.3.2.3 60VDC
      3. 3.3.3 数字 PWM 和栅极电压
      4. 3.3.4 相电流测量
      5. 3.3.5 系统测试结果
        1. 3.3.5.1 热分析
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  11. 5关于作者
  12. 6修订历史记录
2.2.1.2.1 VGS 与 RDS(ON) 间的关系

具体 VGVDD 和 VGVDD_SL 电压的选择结果可以定义导通状态 VGS，即 FET 在应用中的实际栅极电压高电平。

该值可用于确定 FET 在给定电压下的 RDS(ON)。定义 DRV8162L 的过流跳变电平时需要 RDS(ON)。

综合这些考虑因素，所选 FET 的计算结果如表 2-1 所示。此设计采用两个并联此 FET 来实现低 RDS(ON) 并支持高电流输出。该计算是利用欧姆定律完成的。

表 2-1 与 FET NTMTSC1D6N10 VDS 相关的 DRV8162 过流跳变电平

参数

NTMTSC1D6N102 × NTMTSC1D6N10
ID267A534A
IDM900A1800A
QG106nC212nC
结温25°C125°C25°C125°C
RDS(ON)

@ VGS = 10V

1.42mΩ2.50mΩ0.71mΩ0.88mΩ
TRIP

LEVEL1-0：0.15V

106A

60A

211A

120A

TRIP LEVEL1-1：0.2V

141A

80A

282A

160A

使用快速开关 FET 的情况下，在每个半桥上都选择了一个 RC 缓冲器网络，以根据需要提供测试和调试选项来抑制电路振铃。我们的测试用例不需要此步骤。
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