关键限制因素 2：反向恢复损耗

在降压转换器中，当高侧 MOSFET 导通，同时低侧 MOSFET 的体二极管导通电流时，会发生反向恢复，从而迫使低侧二极管电流迅速过渡至高侧 MOSFET。在该过渡过程中，需要电流来消除会造成直接开关损耗的低侧二极管少数电荷，请参阅方程式 4。

方程式 4.

E_{R R} = (V_{I N} \times I_{L} {\times t}_{R R}) + (V_{I N} {\times Q}_{R R})

减少二极管反向恢复影响的理想方法之一，是减少存储电荷 (Q_RR) 通过优化 MOSFET 设计，或减少或消除上升沿死区时间，从而完全消除损耗的影响。