TI 电源工艺技术采用优化的低功耗设计元件。高密度电阻器和电容器与全新的电路技术相结合，能够同时减小 I_Q 和裸片面积。功率 FET 和数字逻辑提供低泄漏晶体管，同时优化速度；因此，I_SHDN 和面积完全不受影响。此外，在较低 V_GS-V_T 水平下对亚阈值操作进行精确建模（如图 18 所示），可实现低至皮安/微米的偏置水平的可靠操作。

图 18 Σ IDS 不匹配百分比与 V_GS – V_T 之间的关系。