在纳米功力稳压器中面积最大的模块之一是电流基准，该基准负责生成 1 至 10nA 的偏置支路。电流基准模块内的电流偏置生成面积由电阻器元件决定。在低值电阻器上施加较小的电压偏置，可减小电阻器值。在形成基准偏置电流时，可以通过一项技术来生成 ΔV_gst/R 或 ΔV_be/R 电路。

图 15 显示了一种巧妙的偏置电流实现方式，其温度系数几乎为零，通过电阻器 R₁ 和 R_bias之间较小的电压偏置来创建正负系数温度偏置电流。

1. ${∆\mathrm{V}}_{\mathrm{G}\mathrm{S}\mathrm{T}}=2\times {\mathrm{V}}_{\mathrm{T}}\times \mathrm{l}\mathrm{n}\left(\mathrm{N}\right)$
2. ${\mathrm{I}}_{\mathrm{b}}=\frac{2\times {\mathrm{V}}_{\mathrm{T}}\times \mathrm{l}\mathrm{n}\left(\mathrm{N}\right)}{{\mathrm{R}}_{\mathrm{b}\mathrm{i}\mathrm{a}\mathrm{s}}}+\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{G}\mathrm{S}6}}{{\mathrm{R}}_1}$

图 15 小面积 1nA 电流基准的电路图。

这些技术实现了更小的无源面积，并有效地缩小了芯片面积。I_Q 乘以最小封装面积 FOM 是比较此类技术面积效率的最佳方法。TPS7A02 器件于2019年发布了 1mm x 1mm 双平面无引线（Dual Flat No-Lead DQN) 封装，而其对应的 晶片级封装（Wafer Chip Scale Package WCSP) 于 2021 年发布。LDO 拥有行业最低的 I_Q-封装面积-效率 FOM，小于 10 nA-mm²。 图 16 展示了典型 0402 电容器与为 TPS7A02 提供的 DQN 和 WCSP 封装的并排比较。

图 16 采用 DQN 封装、0402 电容器和 WCSP 封装时 TPS7A02 的尺寸并排比较。

当将类似的面积减小技术应用于电源电压监控器时，面临的主要挑战是如何检测高于 10V 的电压并仍然实现低于 0.5µA 的 I_Q 水平。受控电压的电容式感应与采样保持技术相结合，可以减小芯片面积，并缩短响应时间。TPS3840 毫微功耗高输入电压监控器具有小于 350nA 的 I_Q，从而实现了低至 15μs 的复位传播延迟，同时能够直接监控 10V 电压轨。

图 17 纳安级充电器系统的系统级图。

节省电路板面积的有效方法之一是将更多功能集成到单个芯片上。这种集成使监控器、基准系统、LDO、电池充电器和直流/直流转换器等模块能够共享通用构建块，同时减小总 I_Q 大小。 图 17 展示了 BQ25125 电池充电管理 IC 通过 I₂C 集成和灵活控制多种低 I_Q 的功能，I2C 为该器件提供了一项关键优势，能够将整个电源管理系统部署到可穿戴设备、计量和汽车传感器物联网应用中。