I_Q-GND、I_SHDN 和 V_OUT 精度的变化都是工艺技术组件可制造性的良好指标。表 1（来自 TPS7A02 具有快速瞬态响应的毫微功耗 IQ、25nA、200mA 低压降稳压器数据表）显示了在 -40°C 至 85°C 温度范围内无负载情况下 I_GND 在 25nA 至 60nA 的范围内变化。这种温度变化代表了电流镜失配和 I_BIAS 生成控制。I_SHDN在室温下的变化范围为3nA 至 10nA ，是功率 FET 和数字逻辑泄漏控制的良好指标。V_OUT 精度随温度变化小于 1.5%，这是亚阈值失配控制的良好指标。