DRV8770
- 100V H 桥栅极驱动器
- 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
- 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20V
- MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
- 集成自举二极管
- 支持反相和同相 INLx 输入（QFN 封装）
- 自举栅极驱动架构
- 750mA 拉电流
- 1.5A 灌电流
- 支持由高达 15 节串联电池供电的应用
- SHx 引脚具有低漏电流（小于 55µA）
- 绝对最大 BSTx 电压高达 115V
- SHx 引脚瞬态负压可达 -22V
-
针对 QFN 封装，可通过 DT 引脚调节死区时间
- 针对 TSSOP 封装，固定插入 200ns 死区时间
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
- 4ns 典型传播延迟匹配
- 紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装和尺寸
- 具有电源块的高效系统设计
- 集成保护特性
- BST 欠压锁定 (BSTUV)
- GVDD 欠压 (GVDDUV)
DRV8770 器件具有两个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。在 GVDD 驱动低侧 MOSFET 栅极的同时，集成式自举二极管和外部电容器可为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。此栅极驱动架构支持高达 750mA 的栅极驱动拉电流和 1.5A 的栅极驱动灌电流。
栅极驱动引脚的高电压容差提高了系统鲁棒性。SHx 相位引脚能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源的 BSTx 和 GHx 引脚可承受更高的正电压瞬变（绝对最大值为 115V）。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。
技术文档
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查看全部 4 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | DRV8770：100V 有刷直流栅极驱动器 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2022年 3月 16日 |
| 用户指南 | DRV8770 100-V Gate Driver Evaluation Module | PDF | HTML | 2021年 9月 29日 | |||
| 证书 | DRV8770EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2021年 8月 16日 | ||||
| 应用手册 | 所选封装材料的热学和电学性质 | 2008年 10月 16日 |
设计和开发
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评估板
DRV8770EVM — DRV8770 100V 栅极驱动器评估模块
DRV8770 评估模块 (EVM) 可轻松评估 DRV8770 器件。
DRV8770 器件具有两个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8770 具有保护功能，例如 BST 欠压锁定、GVDD 欠压和热关断。
EVM 具有板载降压转换器和 LDO，可为所有板载元件供电，还能为 H 桥高侧供电。EVM 配备了电位器，可用于设置输入控制引脚（INHA、INLA、INHB、INLB）的占空比。可修改 EVM 以支持外部微控制器，控制 DRV8770 电机驱动器。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN (RGE) | 24 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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